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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）
  
  型号：IRLHS2242TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS2242TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS2242TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
  详细描述：IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
  
  型号：SKB06N60ATMA1
  仓库库存编号：SKB06N60ATMA1TR-ND
  别名：SKB06N60
  SKB06N60-ND
  SP000012427
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
  
  型号：BB565H7912XTSA1
  仓库库存编号：BB565H7912XTSA1TR-ND
  别名：BB 565 H7912
  BB 565 H7912-ND
  SP000842826
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SCD-80
  
  型号：BB689H7912XTSA1
  仓库库存编号：BB689H7912XTSA1TR-ND
  别名：BB 689 H7912
  BB 689 H7912-ND
  SP000842828
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：BSL308CL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL308CL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSL308C L6327
  BSL308C L6327-ND
  SP000473910
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS84PH6327XTSA1-ND
  别名：BSS84P H6327
  BSS84P H6327-ND
  SP000702496
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ31HXKSA1-ND
  别名：BUZ31 H
  BUZ31 H-ND
  BUZ31H
  SP000682992
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L H
  仓库库存编号：BUZ31L H-ND
  别名：BUZ31LH
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73HXKSA1-ND
  别名：BUZ73 H
  BUZ73 H-ND
  BUZ73H
  SP000683000
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ73H3046XKSA1-ND
  别名：BUZ73 H3046
  BUZ73 H3046-ND
  BUZ73H3046
  SP000683002
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H
  仓库库存编号：BUZ73A H-ND
  别名：BUZ73AH
  BUZ73AHXKSA1
  SP000683004
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H3046
  仓库库存编号：BUZ73A H3046-ND
  别名：BUZ73AH3046
  BUZ73AH3046XKSA1
  SP000683006
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73ALHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73ALHXKSA1-ND
  别名：BUZ73AL H
  BUZ73AL H-ND
  BUZ73ALH
  SP000683012
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73LHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73LHXKSA1-ND
  别名：BUZ73L H
  BUZ73L H-ND
  SP000683014
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 36A 178W TO220-3
  详细描述：IGBT NPT 600V 36A 178W Through Hole PG-TO220-3-1
  
  型号：SGP20N60HSXKSA1
  仓库库存编号：SGP20N60HSXKSA1-ND
  别名：SGP20N60HS
  SGP20N60HS-ND
  SP000683128
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  
  型号：IRFHM792TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM792TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM792TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  
  型号：IRFHM8363TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM8363TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM8363TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 28A（Ta），105A（Tc） 3.6W（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH6224TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH6224TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH6224TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7107TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7107TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7107TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC205N10LS G
  仓库库存编号：BSC205N10LS GCT-ND
  别名：BSC205N10LS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSC240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSC240N12NS3 GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC882N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC882N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC882N03MS GCT
  BSC882N03MS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03MS GCT
  BSC883N03MS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 17A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC884N03MS G
  仓库库存编号：BSC884N03MS GCT-ND
  别名：BSC884N03MS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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