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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7494TRPBF
  仓库库存编号：IRF7494TRPBFCT-ND
  别名：IRF7494TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7524D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7604TRPBF
  仓库库存编号：IRF7604TRPBFCT-ND
  别名：IRF7604TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.6A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7700TRPBF
  仓库库存编号：IRF7700TRPBFCT-ND
  别名：IRF7700TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 10A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7701TRPBF
  仓库库存编号：IRF7701TRPBFCT-ND
  别名：IRF7701TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 4.6A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7704TRPBF
  仓库库存编号：IRF7704TRPBFCT-ND
  别名：IRF7704TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7705TRPBF
  仓库库存编号：IRF7705TRPBFCT-ND
  别名：IRF7705TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7706TRPBF
  仓库库存编号：IRF7706TRPBFCT-ND
  别名：IRF7706TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7707TRPBF
  仓库库存编号：IRF7707TRPBFCT-ND
  别名：IRF7707TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7752TRPBF
  仓库库存编号：IRF7752TRPBFCT-ND
  别名：IRF7752TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7754TRPBF
  仓库库存编号：IRF7754TRPBFCT-ND
  别名：IRF7754TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7755TRPBF
  仓库库存编号：IRF7755TRPBFCT-ND
  别名：IRF7755TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807ATRPBF
  仓库库存编号：IRF7807ATRPBFCT-ND
  别名：IRF7807ATRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7828TRPBF
  仓库库存编号：IRF7828TRPBFCT-ND
  别名：IRF7828TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 28A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30K-STRLP
  仓库库存编号：IRG4BC30K-STRLPCT-ND
  别名：IRG4BC30K-STRLPCT
  IRG4BC30KSTRLP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30U-STRRP
  仓库库存编号：IRG4BC30U-STRRPCT-ND
  别名：IRG4BC30U-STRRPCT
  IRG4BC30USTRRP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 22A 66W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 22A 66W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC20FTRLPBF
  仓库库存编号：IRG4RC20FTRLPBFCT-ND
  别名：IRG4RC20FTRLPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：SI3443DVTRPBF
  仓库库存编号：SI3443DVTRPBFCT-ND
  别名：SI3443DVTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  DIODE TUNING 30V 20MA SCD80
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
  
  型号：BB857H7902XTSA1
  仓库库存编号：BB857H7902XTSA1CT-ND
  别名：BB 857 H7902CT
  BB 857 H7902CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830DTR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM831TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM831TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM831TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM620TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM620TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM620TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRLHM630TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHM630TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHM630TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 14A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0908NSATMA1
  仓库库存编号：BSC0908NSATMA1CT-ND
  别名：BSC0908NSCT
  BSC0908NSCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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