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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH5034TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5034TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5034TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH5036TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5036TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5036TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50SDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50SDPBF-ND
  别名：SP001537214
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC DVR HIGH SIDE 600V 8SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IRS21850STRPBF
  仓库库存编号：IRS21850STRPBF-ND
  别名：SP001548758
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC DVR HI/LOW SIDE 600V 14SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-SOIC
  
  型号：IRS21856STRPBF
  仓库库存编号：IRS21856STRPBF-ND
  别名：SP001534960
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：IRS21858STRPBF
  仓库库存编号：IRS21858STRPBF-ND
  别名：SP001542838
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC DVR HI/LOW SIDE 600V 20SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 20-SOIC
  
  型号：IRS21956STRPBF
  仓库库存编号：IRS21956STRPBF-ND
  别名：SP001546510
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：IRS21962STRPBF
  仓库库存编号：IRS21962STRPBF-ND
  别名：SP001543072
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3.8A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） 8-QFN
  
  型号：IRFH5025TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5025TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5025TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902TRPBF
  仓库库存编号：IRF1902TRPBFCT-ND
  别名：IRF1902TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5800TRPBF
  仓库库存编号：IRF5800TRPBFCT-ND
  别名：IRF5800TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 3.4A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF5803D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF5803D2TRPBFCT-ND
  别名：IRF5803D2TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 2.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5804TRPBF
  仓库库存编号：IRF5804TRPBFCT-ND
  别名：IRF5804TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5810TRPBF
  仓库库存编号：IRF5810TRPBFCT-ND
  别名：IRF5810TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5850TRPBF
  仓库库存编号：IRF5850TRPBFCT-ND
  别名：IRF5850TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5851TRPBF
  仓库库存编号：IRF5851TRPBFCT-ND
  别名：IRF5851TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：IRF5852TRPBF
  仓库库存编号：IRF5852TRPBFCT-ND
  别名：IRF5852TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7210TRPBF
  仓库库存编号：IRF7210TRPBFCT-ND
  别名：IRF7210TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7338TRPBF
  仓库库存编号：IRF7338TRPBFCT-ND
  别名：IRF7338TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7350TRPBF
  仓库库存编号：IRF7350TRPBFCT-ND
  别名：IRF7350TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7459TRPBF
  仓库库存编号：IRF7459TRPBFCT-ND
  别名：IRF7459TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7467TRPBF
  仓库库存编号：IRF7467TRPBFCT-ND
  别名：IRF7467TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7475TRPBF
  仓库库存编号：IRF7475TRPBFCT-ND
  别名：IRF7475TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7484TRPBF
  仓库库存编号：IRF7484TRPBFCT-ND
  别名：IRF7484TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7492TRPBF
  仓库库存编号：IRF7492TRPBFCT-ND
  别名：IRF7492TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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