以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  IC DVR HI SIDE DUAL 600V 16-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：IRS21962SPBF
  仓库库存编号：IRS21962SPBF-ND
  别名：SP001548824
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7220GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7220GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7220GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7406GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7406GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7406GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7413GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7413ZGTRPBF
  仓库库存编号：IRF7413ZGTRPBFCT-ND
  别名：IRF7413ZGTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7424GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7424GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7424GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 1.25W（Ta） 8-uSMD
  
  型号：IRF7524D1GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7524D1GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7524D1GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811WGTRPBF
  仓库库存编号：IRF7811WGTRPBFCT-ND
  别名：IRF7811WGTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8113GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8113GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8113GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7.8A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF8852TRPBF
  仓库库存编号：IRF8852TRPBFCT-ND
  别名：IRF8852TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF8910GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8910GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8910GTRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5006TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5006TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5006TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 17A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5007TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5007TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5007TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5010TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5010TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5010TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5106TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5106TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5106TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），63A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5110TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5110TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5110TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Ta），89A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5206TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5206TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5206TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 13A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta），105W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5207TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5207TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5207TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta），55A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5210TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5210TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5210TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），40A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH5406TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5406TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5406TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH6200TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH6200TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH6200TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
  
  型号：IRFH7911TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7911TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7911TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），76A（Tc） 3.1W（Ta） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7934TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7934TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7934TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），24A（Tc） 2.8W（Ta） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM9331TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM9331TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM9331TR2PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30F-STRLP
  仓库库存编号：IRG4BC30F-STRLPCT-ND
  别名：IRG4BC30F-STRLPCT
  IRG4BC30FSTRLP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索