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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL306NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL306N L6327INCT
BSL306N L6327INCT-ND
BSL306NL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL315P L6327INCT
BSL315P L6327INCT-ND
BSL315PL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL802SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL802SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL802SN L6327INCT
BSL802SN L6327INCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO080P03SNTMA1CT-ND
别名：BSO080P03SINCT
BSO080P03SINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO220N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO220N03MS GINCT
BSO220N03MS GINCT-ND
BSO220N03MSG
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.4A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO330N02KGFUMA1
仓库库存编号：
BSO330N02KGFUMA1CT-ND
别名：BSO330N02K GINCT
BSO330N02K GINCT-ND
BSO330N02KG
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS205NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS205NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS205N L6327INCT
BSS205N L6327INCT-ND
BSS205NL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380C6
仓库库存编号：
IPD60R380C6INCT-ND
别名：IPD60R380C6INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R600C6BTMA1CT
IPD60R600C6INCT
IPD60R600C6INCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6
仓库库存编号：
IPD60R950C6INCT-ND
别名：IPD60R950C6INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5004TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5004TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5004TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Ta），56A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5015TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5015TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5015TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5020TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5020TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5020TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5250DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250DTR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15A（Ta），51A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5255TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5255TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5255TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302DTR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302DTR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5304TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5304TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5304TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5030TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
型号：
2N7002PM,315
仓库库存编号：
2N7002PM,315-ND
别名：934064133315
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB555H7902XTSA1
仓库库存编号：
BB555H7902XTSA1TR-ND
别名：BB 555 H7902
BB 555 H7902-ND
SP000733802
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB555H7912XTSA1
仓库库存编号：
BB555H7912XTSA1TR-ND
别名：BB 555 H7912
BB 555 H7912-ND
SP000745068
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB565H7902XTSA1
仓库库存编号：
BB565H7902XTSA1TR-ND
别名：BB 565 H7902
BB 565 H7902-ND
SP000745094
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB565H7903XTMA1
仓库库存编号：
BB565H7903XTMA1TR-ND
别名：BB 565 H7903
BB 565 H7903-ND
SP000734346
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB565H7908XTSA1
仓库库存编号：
BB565H7908XTSA1TR-ND
别名：BB 565 H7908
BB 565 H7908-ND
SP000745096
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB659H7902XTSA1
仓库库存编号：
BB659H7902XTSA1TR-ND
别名：BB 659 H7902
BB 659 H7902-ND
SP000745102
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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