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Infineon Technologies
IGBT 600V 18A 34W TO220FP
详细描述：IGBT Trench 600V 18A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4056DPBF
仓库库存编号：
IRGI4056DPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 15A 38W TO220
详细描述：IGBT Trench 600V 15A 38W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4064DPBF
仓库库存编号：
IRGI4064DPBF-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP165NQ08T,127
仓库库存编号：
PHP165NQ08T,127-ND
别名：934062188127
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8714GPBF
仓库库存编号：
IRF8714GPBF-ND
别名：SP001551628
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8721GPBF
仓库库存编号：
IRF8721GPBF-ND
别名：SP001555790
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），110W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5301TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5301TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5301TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5302TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5302TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5302TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），44A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5306TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5306TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5306TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 45A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5250TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5250TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5250TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5300TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5300TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5300TR2PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 104W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1825AL,115
仓库库存编号：
PH1825AL,115-ND
别名：934063226115
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V SOT-363
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD235C L6327
仓库库存编号：
BSD235C L6327CT-ND
别名：BSD235C L6327CT
BSD235CL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL214NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL214N L6327CT
BSL214N L6327CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL316CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL316CL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL316C L6327CT
BSL316C L6327CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO130N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO130N03MS GCT
BSO130N03MS GCT-ND
BSO130N03MSG
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS215PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS215PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS215P L6327CT
BSS215P L6327CT-ND
BSS215PL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS315PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS315P L6327CT
BSS315P L6327CT-ND
BSS315PL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC200P03LSGAUMA1
仓库库存编号：
BSC200P03LSGAUMA1CT-ND
别名：BSC200P03LS GINCT
BSC200P03LS GINCT-ND
BSC200P03LSG
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD214SN L6327
仓库库存编号：
BSD214SN L6327INCT-ND
别名：BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD235N L6327
仓库库存编号：
BSD235N L6327INCT-ND
别名：BSD235N L6327INCT
BSD235NL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL205NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL205NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL205N L6327INCT
BSL205N L6327INCT-ND
BSL205NL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL215CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL215CL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL215C L6327INCT
BSL215C L6327INCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL215PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL215PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL215P L6327INCT
BSL215P L6327INCT-ND
BSL215PL6327
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL302SNL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
别名：BSL302SN L6327INCT
BSL302SN L6327INCT-ND
BSL302SNL6327
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