规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7750TRPBF
仓库库存编号：
IRF7750TRPBFCT-ND
别名：IRF7750TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 110mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS131L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS131L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS131 L6327
BSS131 L6327-ND
BSS131L6327XT
Q4284473
SP000247293
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45.8A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH1875L,115
仓库库存编号：
PH1875L,115-ND
别名：934059871115
PH1875L T/R
PH1875L T/R-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH9030L,115
仓库库存编号：
PH9030L,115-ND
别名：934061644115
PH9030L T/R
PH9030L T/R-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
2N7002 L6327
仓库库存编号：
2N7002 L6327-ND
别名：2N7002L6327HTSA1
SP000408440
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
2N7002DW L6327
仓库库存编号：
2N7002DW L6327-ND
别名：SP000408436
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 30V 20MA SCD-80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB 555 E7912
仓库库存编号：
BB 555 E7912-ND
别名：SP000104718
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 30V 20MA SC-79
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
型号：
BB 555-02V E7912
仓库库存编号：
BB 555-02V E7912-ND
别名：SP000104717
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VARIABLE 30V 20MA SCD-80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB 659C E7912
仓库库存编号：
BB 659C E7912-ND
别名：SP000104720
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VARIABLE 30V 20MA SC-79
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
型号：
BB 659C-02V E7912
仓库库存编号：
BB 659C-02V E7912-ND
别名：SP000104719
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 30V 20MA SCD-80
详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount PG-SCD80-2
型号：
BB 689 E7903
仓库库存编号：
BB 689 E7903-ND
别名：SP000010424
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2
详细描述：Varactor Single 7V Surface Mount PG-TSLP-2
型号：
BBY5202LE6816XTMA1
仓库库存编号：
BBY5202LE6816XTMA1TR-ND
别名：BBY 52-02L E6816
BBY 52-02L E6816-ND
SP000621074
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE TUNING 12V 50MA SC-79
详细描述：Varactor Single 12V Surface Mount PG-SC79-2
型号：
BBY 66-02V E6327
仓库库存编号：
BBY 66-02V E6327-ND
别名：SP000013483
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名：BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD223P L6327
仓库库存编号：
BSD223P L6327-ND
别名：SP000245417
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP321PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP321PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSP321P L6327
BSP321P L6327-ND
SP000212228
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR315P L6327
BSR315P L6327-ND
SP000265405
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6327
仓库库存编号：
BSS138W L6327-ND
别名：SP000245411
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6433
仓库库存编号：
BSS138W L6433-ND
别名：SP000245412
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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