规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W E6433
仓库库存编号:
BSS138W E6433-ND
别名:BSS138WE6433
SP000014284
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6327
仓库库存编号:
BSS159N E6327-ND
别名:BSS159NE6327XT
SP000014638
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6906
仓库库存编号:
BSS159N E6906-ND
别名:BSS159NE6906XT
SP000055412
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169 E6327
仓库库存编号:
BSS169 E6327-ND
别名:BSS169E6327XT
SP000011172
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169 E6906
仓库库存编号:
BSS169 E6906-ND
别名:BSS169E6906XT
SP000055416
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225
仓库库存编号:
BSS225-ND
别名:BSS225T
SP000017502
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 90mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS225L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS225L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS225 L6327
BSS225 L6327-ND
BSS225L6327XT
SP000095776
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P E6433
仓库库存编号:
BSS84P E6433-ND
别名:BSS84PE6433XT
SP000012323
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS87 E6433
仓库库存编号:
BSS87 E6433-ND
别名:BSS87E6433T
SP000082233
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110NKSA1
仓库库存编号:
BTS110NKSA1-ND
别名:BTS110
BTS110-ND
SP000011184
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31
仓库库存编号:
BUZ31IN-ND
别名:BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L
仓库库存编号:
BUZ31LIN-ND
别名:BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
BUZ31L E3044A
仓库库存编号:
BUZ31L E3044A-ND
别名:BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32
仓库库存编号:
BUZ32IN-ND
别名:BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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