以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 70A 290W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：HGTG20N60A4
  仓库库存编号：HGTG20N60A4-ND
  别名：HGTG20N60A4_NL
  HGTG20N60A4_NL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 200V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3502-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3502-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3502-E4/1
  GBPC3502-E4/1-ND
  GBPC3502-E4/1GI
  GBPC3502-E4/1GI-ND
  GBPC3502-E4/51GI
  GBPC3502E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 35A 100V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3501-E4/51
  仓库库存编号：GBPC3501-E4/51GI-ND
  别名：GBPC3501-E4/1
  GBPC3501-E4/1-ND
  GBPC3501-E4/1GI
  GBPC3501-E4/1GI-ND
  GBPC3501-E4/51GI
  GBPC3501E451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125C6
  仓库库存编号：IPA60R125C6-ND
  别名：IPA60R125C6XKSA1
  SP000685848
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC40UDPBF-ND
  别名：*IRG4PC40UDPBF
  SP001532594
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP7N95K3
  仓库库存编号：497-8792-5-ND
  别名：497-8792-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：STW10N95K5
  仓库库存编号：497-14579-5-ND
  别名：497-14579-5
  STW10N95K5-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP260PBF
  仓库库存编号：IRFP260PBF-ND
  别名：*IRFP260PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N80K5
  仓库库存编号：497-13779-5-ND
  别名：497-13779-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH40UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PH40UDPBF-ND
  别名：*IRG4PH40UDPBF
  63-6004PBF
  63-6004PBF-ND
  SP001537144
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  IGBT 1200V 40A 180W TO220
  详细描述：IGBT PT 1200V 40A 180W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP20N120A3
  仓库库存编号：IXGP20N120A3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.7A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF50PBF
  仓库库存编号：IRFPF50PBF-ND
  别名：*IRFPF50PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW24N60DM2
  仓库库存编号：497-14582-5-ND
  别名：497-14582-5
  STW24N60DM2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP340PBF
  仓库库存编号：IRFP340PBF-ND
  别名：*IRFP340PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 55A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50UPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50UPBF-ND
  别名：*IRG4PC50UPBF
  63-6002PBF
  63-6002PBF-ND
  SP001547878
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114658
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-GE3-ND
  别名：SIHG32N50DGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 223W TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTG50N60FWG
  仓库库存编号：NGTG50N60FWGOS-ND
  别名：NGTG50N60FWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 39A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT42S60L
  仓库库存编号：785-1515-5-ND
  别名：AOT42S60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA52P10P
  仓库库存编号：IXTA52P10P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA36P15P
  仓库库存编号：IXTA36P15P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50SPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50SPBF-ND
  别名：*IRG4PC50SPBF
  SP001541548
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ52N30P
  仓库库存编号：IXTQ52N30P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 308W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP35B60PDPBF
  仓库库存编号：IRGP35B60PDPBF-ND
  别名：*IRGP35B60PDPBF
  63-6008PBF
  63-6008PBF-ND
  SP001546216
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRG4PH50S-EPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50S-EPBF-ND
  别名：IRG4PH50SEPBF
  SP001545684
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索