规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 250V 104A 330W TO247AC
详细描述:IGBT 250V 104A 330W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4050PBF
仓库库存编号:
IRGP4050PBF-ND
别名:*IRGP4050PBF
SP001537720
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 78A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 78A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71KPBF
仓库库存编号:
IRG4PSH71KPBF-ND
别名:*IRG4PSH71KPBF
SP001541530
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71UPBF
仓库库存编号:
IRG4PSH71UPBF-ND
别名:*IRG4PSH71UPBF
SP001535826
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302SPBF
仓库库存编号:
IRL3302SPBF-ND
别名:*IRL3302SPBF
SP001552554
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3711PBF
仓库库存编号:
IRF3711PBF-ND
别名:*IRF3711PBF
SP001561720
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3202PBF
仓库库存编号:
IRL3202PBF-ND
别名:*IRL3202PBF
SP001571790
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3711LPBF
仓库库存编号:
IRF3711LPBF-ND
别名:*IRF3711LPBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302PBF
仓库库存编号:
IRL3302PBF-ND
别名:*IRL3302PBF
SP001568274
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709LPBF
仓库库存编号:
IRF3709LPBF-ND
别名:*IRF3709LPBF
SP001561748
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102PBF
仓库库存编号:
IRL3102PBF-ND
别名:*IRL3102PBF
SP001576478
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102SPBF
仓库库存编号:
IRL3102SPBF-ND
别名:*IRL3102SPBF
SP001576532
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402PBF
仓库库存编号:
IRL3402PBF-ND
别名:*IRL3402PBF
SP001558674
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC10SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC10SPBF-ND
别名:*IRG4BC10SPBF
SP001541364
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 9A 38W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC10KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC10KPBF-ND
别名:*IRG4BC10KPBF
SP001535632
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 8.5A 38W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC10UPBF
仓库库存编号:
IRG4BC10UPBF-ND
别名:*IRG4BC10UPBF
SP001545808
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3502PBF
仓库库存编号:
IRL3502PBF-ND
别名:*IRL3502PBF
SP001568246
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20KPBF-ND
别名:*IRG4BC20KPBF
SP001535582
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502SPBF
仓库库存编号:
IRL3502SPBF-ND
别名:*IRL3502SPBF
SP001578558
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20SDPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20SDPBF-ND
别名:*IRG4BC20SDPBF
SP001541346
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 64A(Tc) 2W(Ta),89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3103D1PBF
仓库库存编号:
IRL3103D1PBF-ND
别名:*IRL3103D1PBF
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 19A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20SD-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20SD-SPBF-ND
别名:*IRG4BC20SD-SPBF
SP001535652
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 18A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 18A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20MD-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20MD-SPBF-ND
别名:*IRG4BC20MD-SPBF
SP001544850
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG4IBC30FDPBF
仓库库存编号:
IRG4IBC30FDPBF-ND
别名:*IRG4IBC30FDPBF
SP001545734
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3303PBF
仓库库存编号:
IRFU3303PBF-ND
别名:*IRFU3303PBF
SP001567700
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10KPBF
仓库库存编号:
IRG4RC10KPBF-ND
别名:*IRG4RC10KPBF
SP001536134
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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