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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N50C3HKSA1-ND
别名：SPP04N50C3
SPP04N50C3IN
SPP04N50C3IN-ND
SPP04N50C3X
SPP04N50C3XK
SPP04N50C3XTIN
SPP04N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3IN-ND
别名：SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3IN-ND
别名：SP000013659
SPA20N60C3
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP21N50C3HKSA1-ND
别名：SPP21N50C3
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3IN-ND
SPP21N50C3X
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
SPP21N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP02N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP02N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013523
SPP02N60C3
SPP02N60C3IN
SPP02N60C3IN-ND
SPP02N60C3X
SPP02N60C3XK
SPP02N60C3XTIN
SPP02N60C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP03N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP03N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013524
SPP03N60C3
SPP03N60C3IN
SPP03N60C3IN-ND
SPP03N60C3X
SPP03N60C3X-ND
SPP03N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI07N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI07N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013521
SPI07N60C3
SPI07N60C3IN
SPI07N60C3IN-ND
SPI07N60C3X
SPI07N60C3X-ND
SPI07N60C3XK
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 560V 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP16N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP16N50C3HKSA1-ND
别名：SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP12N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP12N50C3HKSA1-ND
别名：SP000014459
SPP12N50C3
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3IN-ND
SPP12N50C3X
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名：SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号：
BSD223P
仓库库存编号：
BSD223PINCT-ND
别名：BSD223PINCT
BSD223PXTINCT
BSD223PXTINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL207SP
仓库库存编号：
BSL207SPINCT-ND
别名：BSL207SPINCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL211SP
仓库库存编号：
BSL211SPINCT-ND
别名：BSL211SPINCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL307SP
仓库库存编号：
BSL307SPINTR-ND
别名：BSL307SPINTR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14.9A（Ta） 2.5W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO201SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO201SPINCT-ND
别名：BSO201SPINCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO203PNTMA1
仓库库存编号：
BSO203PNTMA1CT-ND
别名：BSO203PINCT
BSO203PINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO203SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO203SPNTMA1CT-ND
别名：BSO203SPINCT
BSO203SPINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO204PNTMA1
仓库库存编号：
BSO204PNTMA1TR-ND
别名：BSO204P
BSO204PINTR
BSO204PINTR-ND
SP000013487
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号：
BSO207PNTMA1
仓库库存编号：
BSO207PNTMA1TR-ND
别名：BSO207P
BSO207PINTR
BSO207PINTR-ND
BSO207PNT
BSO207PT
BSO207PT-ND
SP000012573
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
BSO215C
仓库库存编号：
BSO215CINTR-ND
别名：BSO215CINTR
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 2.5W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名：BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） P-DSO-8
型号：
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO303SPINCT-ND
别名：BSO303SPINCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
BSO4410
仓库库存编号：
BSO4410INCT-ND
别名：BSO4410INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
BSO4420
仓库库存编号：
BSO4420INCT-ND
别名：BSO4420INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
BSO4804
仓库库存编号：
BSO4804INCT-ND
别名：BSO4804INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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