规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 370mA(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP123L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP123L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP123INCT
BSP123INCT-ND
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP129E6327
仓库库存编号:
BSP129INCT-ND
别名:BSP129INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.17A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP315P-E6327
仓库库存编号:
BSP315PINCT-ND
别名:BSP315PE6327
BSP315PINCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 350mA(Ta) 1.7W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP88E6327
仓库库存编号:
BSP88INCT-ND
别名:BSP88INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123E6327
仓库库存编号:
BSS123INCT-ND
别名:BSS123INCT
BSS123XTINCT
BSS123XTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 110mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS131E6327
仓库库存编号:
BSS131INCT-ND
别名:BSS131INCT
BSS131XTINCT
BSS131XTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N-E6327
仓库库存编号:
BSS138NEINCT-ND
别名:BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P-E6327
仓库库存编号:
BSS84PINCT-ND
别名:BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87E6327
仓库库存编号:
BSS87INCT-ND
别名:BSS87INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60S5
仓库库存编号:
SPD07N60S5INCT-ND
别名:SPD07N60S5INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 30V SOD-323
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号:
BB535E7908HTSA1
仓库库存编号:
BB535E7908HTSA1CT-ND
别名:BB535INCT
BB535INCT-ND
BB535XTINCT
BB535XTINCT-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
DIODE VARACTOR 30V SOD-323
详细描述:Varactor Single 30V Surface Mount PG-SOD323-2
型号:
BB639E7908
仓库库存编号:
BB639INCT-ND
别名:BB639INCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 2.6A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4315
仓库库存编号:
IRFL4315-ND
别名:*IRFL4315
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet?
型号:
IRF6156
仓库库存编号:
IRF6156-ND
别名:*IRF6156
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS115ANKSA1
仓库库存编号:
BTS115ANKSA1-ND
别名:BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BTS121ANKSA1
仓库库存编号:
BTS121ANKSA1-ND
别名:BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 1.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3000
仓库库存编号:
IRF3000-ND
别名:*IRF3000
Q1439458
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492TR
仓库库存编号:
IRF7492TRTR-ND
别名:IRF7492TRTR
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7492
仓库库存编号:
IRF7492-ND
别名:*IRF7492
SP001559928
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5.2A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7494TR
仓库库存编号:
IRF7494TRCT-ND
别名:*IRF7494TR
IRF7494TRCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3IN-ND
别名:SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN
SPA11N60C3XTIN-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW12N50C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW12N50C3FKSA1-ND
别名:SP000014469
SPW12N50C3
SPW12N50C3IN
SPW12N50C3IN-ND
SPW12N50C3X
SPW12N50C3XK
SPW12N50C3XTIN
SPW12N50C3XTIN-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA04N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216298
SPA04N50C3
SPA04N50C3IN
SPA04N50C3IN-ND
SPA04N50C3X
SPA04N50C3XK
SPA04N50C3XTIN
SPA04N50C3XTIN-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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