规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701TR
仓库库存编号:
IRF7701TR-ND
别名:SP001575290
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7702TR
仓库库存编号:
IRF7702TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7703TR
仓库库存编号:
IRF7703TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7704TR
仓库库存编号:
IRF7704TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 1.5W(Tc) 8-TSSOP
型号:
IRF7705TR
仓库库存编号:
IRF7705TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7A(Ta) 1.51W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7706TR
仓库库存编号:
IRF7706TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7707TR
仓库库存编号:
IRF7707TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7751TR
仓库库存编号:
IRF7751TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7752TR
仓库库存编号:
IRF7752TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7754TR
仓库库存编号:
IRF7754TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.9A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7755TR
仓库库存编号:
IRF7755TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7756TR
仓库库存编号:
IRF7756TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATR
仓库库存编号:
IRF7805ATR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807ATR
仓库库存编号:
IRF7807ATR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1
仓库库存编号:
IRF7807VD1-ND
别名:*IRF7807VD1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD1TR
仓库库存编号:
IRF7807VD1TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VD2TR
仓库库存编号:
IRF7807VD2TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807VTR
仓库库存编号:
IRF7807VTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811AVTR
仓库库存编号:
IRF7811AVTR-ND
别名:SP001560030
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811WTR
仓库库存编号:
IRF7811WTR-ND
别名:SP001572286
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TR
仓库库存编号:
IRFR3711TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRL
仓库库存编号:
IRFR3711TRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 100A(Tc) 2.5W(Ta),120W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711TRR
仓库库存编号:
IRFR3711TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TR
仓库库存编号:
IRFR5410TR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRL
仓库库存编号:
IRFR5410TRL-ND
别名:SP001567628
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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