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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7465
  仓库库存编号：IRF7465-ND
  别名：*IRF7465
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453
  仓库库存编号：IRF7453-ND
  别名：*IRF7453
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7477
  仓库库存编号：IRF7477-ND
  别名：*IRF7477
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3709
  仓库库存编号：IRFU3709-ND
  别名：*IRFU3709
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709S
  仓库库存编号：IRF3709S-ND
  别名：*IRF3709S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3711
  仓库库存编号：IRFU3711-ND
  别名：*IRFU3711
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711S
  仓库库存编号：IRF3711S-ND
  别名：*IRF3711S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3711
  仓库库存编号：IRFR3711-ND
  别名：*IRFR3711
  SP001555100
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3709L
  仓库库存编号：IRF3709L-ND
  别名：*IRF3709L
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3711
  仓库库存编号：IRF3711-ND
  别名：*IRF3711
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3711L
  仓库库存编号：IRF3711L-ND
  别名：*IRF3711L
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3709
  仓库库存编号：IRF3709-ND
  别名：*IRF3709
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 8A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
  
  型号：IRF7702
  仓库库存编号：IRF7702-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30S-S
  仓库库存编号：IRG4BC30S-S-ND
  别名：*IRG4BC30S-S
  IRG4BC30SS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 9A 38W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
  
  型号：IRG4RC10KD
  仓库库存编号：IRG4RC10KD-ND
  别名：*IRG4RC10KD
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451
  仓库库存编号：IRF7451-ND
  别名：*IRF7451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7752
  仓库库存编号：IRF7752-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807VD2
  仓库库存编号：IRF7807VD2-ND
  别名：*IRF7807VD2
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7751
  仓库库存编号：IRF7751-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 14A 38W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC10SD-S
  仓库库存编号：IRG4BC10SD-S-ND
  别名：*IRG4BC10SD-S
  IRG4BC10SDS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRL
  仓库库存编号：IRF3709STRL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3709STRR
  仓库库存编号：IRF3709STRR-ND
  
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  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRL
  仓库库存编号：IRF3711STRL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3711STRR
  仓库库存编号：IRF3711STRR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5800TR
  仓库库存编号：IRF5800TR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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