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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2703TR
仓库库存编号：
IRLL2703TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 89A（Ta） 89W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103TR
仓库库存编号：
IRLR8103TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503TRL
仓库库存编号：
IRLR8503TRL-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503TR
仓库库存编号：
IRLR8503TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503TRR
仓库库存编号：
IRLR8503TRR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET SMART SW 50V 11A D2PAK
型号：
IRSF3010S
仓库库存编号：
IRSF3010S-ND
别名：*IRSF3010S
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V 5A SOT-223
型号：
IRSF3011LTR
仓库库存编号：
IRSF3011LTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V 3A SOT-223
型号：
IRSF3021L
仓库库存编号：
IRSF3021L-ND
别名：*IRSF3021L
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V 3A SOT-223
型号：
IRSF3021LTR
仓库库存编号：
IRSF3021LTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
IC DRVR LO SIDE 50V 1.8A SOT-223
型号：
IRSF3031L
仓库库存编号：
IRSF3031L-ND
别名：*IRSF3031L
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
IC DRVR LO SIDE 50V 1.8A SOT-223
型号：
IRSF3031LTR
仓库库存编号：
IRSF3031LTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DYTR
仓库库存编号：
SI4420DYTR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.3W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7521D1TR
仓库库存编号：
IRF7521D1TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7523D1TR
仓库库存编号：
IRF7523D1TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7526D1TR
仓库库存编号：
IRF7526D1TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7750TR
仓库库存编号：
IRF7750CT-ND
别名：*IRF7750TR
IRF7750CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS2002TR
仓库库存编号：
IRLMS2002CT-ND
别名：*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7325
仓库库存编号：
IRF7325-ND
别名：*IRF7325
Q1153815D
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.6A（Tc） 1.5W（Tc） 8-TSSOP
型号：
IRF7700
仓库库存编号：
IRF7700-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7726TR
仓库库存编号：
IRF7726CT-ND
别名：*IRF7726TR
IRF7726CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
型号：
IRF6100
仓库库存编号：
IRF6100CT-ND
别名：*IRF6100
IRF6100CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet?
型号：
IRF6150
仓库库存编号：
IRF6150CT-ND
别名：*IRF6150
IRF6150CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7706
仓库库存编号：
IRF7706-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7331
仓库库存编号：
IRF7331-ND
别名：*IRF7331
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7241
仓库库存编号：
IRF7241-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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