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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30KD-STRR
仓库库存编号:
IRG4BC30KD-STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30W-STRL
仓库库存编号:
IRG4BC30W-STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC40W-S
仓库库存编号:
IRG4BC40W-S-ND
别名:*IRG4BC40W-S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 23.5A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG4IBC30S
仓库库存编号:
IRG4IBC30S-ND
别名:*IRG4IBC30S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71UD
仓库库存编号:
IRG4PSH71UD-ND
别名:*IRG4PSH71UD
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71U
仓库库存编号:
IRG4PSH71U-ND
别名:*IRG4PSH71U
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10KTRL
仓库库存编号:
IRG4RC10KTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10KTR
仓库库存编号:
IRG4RC10KTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 9A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 9A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10KTRR
仓库库存编号:
IRG4RC10KTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10SD
仓库库存编号:
IRG4RC10SD-ND
别名:*IRG4RC10SD
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10STRL
仓库库存编号:
IRG4RC10STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10STR
仓库库存编号:
IRG4RC10STR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10UD
仓库库存编号:
IRG4RC10UD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10UTRL
仓库库存编号:
IRG4RC10UTRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10UTR
仓库库存编号:
IRG4RC10UTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
详细描述:IGBT 600V 8.5A 38W Surface Mount D-Pak
型号:
IRG4RC10UTRR
仓库库存编号:
IRG4RC10UTRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRL
仓库库存编号:
IRL3102STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102STRR
仓库库存编号:
IRL3102STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) 3.1W(Ta),89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRL
仓库库存编号:
IRL3103D1STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202STRR
仓库库存编号:
IRL3202STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRL
仓库库存编号:
IRL3302STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302STRR
仓库库存编号:
IRL3302STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRL
仓库库存编号:
IRL3402STRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRR
仓库库存编号:
IRL3402STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3502STRR
仓库库存编号:
IRL3502STRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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