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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 27A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF27S60L
仓库库存编号：
785-1608-5-ND
别名：785-1608-5
AOTF27S60
AOTF27S60-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP36N30P
仓库库存编号：
IXTP36N30P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 266W（Tc） TO-247
型号：
AOK20S60L
仓库库存编号：
785-1533-5-ND
别名：AOK20S60L-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP16N50P
仓库库存编号：
IXFP16N50P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF22N60NT
仓库库存编号：
FCPF22N60NT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA36N30P
仓库库存编号：
IXTA36N30P-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2506W
仓库库存编号：
1242-1291-ND
别名：1242-1291
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2504T
仓库库存编号：
1242-1268-ND
别名：1242-1268
GBPC2504T/WGN
GBPC2504T/WGN-ND
GBPC2504TGN-ND
GBPC2504TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3510W
仓库库存编号：
1242-1296-ND
别名：1242-1296
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 32.1W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60NT
仓库库存编号：
FCPF11N60NT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC-T
型号：
GBPC3502T
仓库库存编号：
1242-1271-ND
别名：1242-1271
GBPC3502T/WGN
GBPC3502T/WGN-ND
GBPC3502TGN-ND
GBPC3502TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 167W TO247
详细描述：IGBT Trench 600V 60A 167W Through Hole TO-247
型号：
NGTG30N60FWG
仓库库存编号：
NGTG30N60FWGOS-ND
别名：NGTG30N60FWGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal GBPC-T
型号：
GBPC3504T
仓库库存编号：
1242-1272-ND
别名：1242-1272
GBPC3504T/WGN
GBPC3504T/WGN-ND
GBPC3504TGN-ND
GBPC3504TW
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3504W
仓库库存编号：
1242-1294-ND
别名：1242-1294
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号：
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名：IXFA4N100Q-TRLCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 50V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 12A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC12005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC12005-E4/51GI-ND
别名：GBPC12005
GBPC12005-E4/51GI
GBPC12005-ND
GBPC12005/1
GBPC12005/1-ND
GBPC12005/1GI
GBPC12005/1GI-ND
GBPC12005E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 400V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2504W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2504W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2504W-E4/51-ND
GBPC2504W-E4/51GI
GBPC2504WE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220
型号：
STP10N95K5
仓库库存编号：
497-14568-5-ND
别名：497-14568-5
STP10N95K5-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1206-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1206-E4/51GI-ND
别名：GBPC1206
GBPC1206-E4/51GI
GBPC1206-ND
GBPC1206/1
GBPC1206/1-ND
GBPC1206/1GI
GBPC1206/1GI-ND
GBPC1206E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 200V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1502-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1502-E4/51-ND
别名：GBPC1502E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2501-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2501-E4/51GI-ND
别名：GBPC2501-E4/51GI
GBPC2501/1
GBPC2501/1GI
GBPC2501/1GI-ND
GBPC2501E451
GBPC2501GI
GBPC2501GI-ND
KBPC2501
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 400V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1504-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1504-E4/51-ND
别名：GBPC1504E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 1000V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2510W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2510W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2510W-E4/51-ND
GBPC2510W-E4/51GI
GBPC2510WE451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 800V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2508-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2508-E4/51GI-ND
别名：GBPC2508-E4/51-ND
GBPC2508-E4/51GI
GBPC2508E451
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP22N60E-E3-ND
别名：SIHP22N60EE3
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