规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7604TR
仓库库存编号:
IRF7604CT-ND
别名:*IRF7604TR
IRF7604
IRF7604CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.2A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7663TR
仓库库存编号:
IRF7663CT-ND
别名:*IRF7663TR
IRF7663CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502TR
仓库库存编号:
IRLML2502CT-ND
别名:*IRLML2502TR
IRLML2502
IRLML2502-ND
IRLML2502CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.2A(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2803TR
仓库库存编号:
IRLML2803CT-ND
别名:*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 760mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5103TR
仓库库存编号:
IRLML5103CT-ND
别名:*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6302TR
仓库库存编号:
IRLML6302CT-ND
别名:*IRLML6302TR
IRLML6302
IRLML6302-ND
IRLML6302CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TR
仓库库存编号:
IRLML6401CT-ND
别名:*IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.7A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6402TR
仓库库存编号:
IRLML6402CT-ND
别名:*IRLML6402TR
IRLML6402
IRLML6402-ND
IRLML6402CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1503TR
仓库库存编号:
IRLMS1503CT-ND
别名:*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TR
仓库库存编号:
IRLMS1902CT-ND
别名:*IRLMS1902TR
IRLMS1902
IRLMS1902CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS6802TR
仓库库存编号:
IRLMS6802CT-ND
别名:*IRLMS6802TR
IRLMS6802
IRLMS6802CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSC71K
仓库库存编号:
IRG4PSC71K-ND
别名:*IRG4PSC71K
Q978708
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402S
仓库库存编号:
IRL3402S-ND
别名:*IRL3402S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Tc) 62W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8503
仓库库存编号:
IRLR8503-ND
别名:*IRLR8503
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9024N
仓库库存编号:
IRFU9024N-ND
别名:*IRFU9024N
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.4A(Ta) 1.3W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7521D1
仓库库存编号:
IRF7521D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1
仓库库存编号:
IRF7523D1-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607
仓库库存编号:
IRF7607-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452
仓库库存编号:
IRF7452-ND
别名:*IRF7452
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7457
仓库库存编号:
IRF7457-ND
别名:*IRF7457
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7459
仓库库存编号:
IRF7459-ND
别名:*IRF7459
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7460
仓库库存编号:
IRF7460-ND
别名:*IRF7460
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466
仓库库存编号:
IRF7466-ND
别名:*IRF7466
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467
仓库库存编号:
IRF7467-ND
别名:*IRF7467
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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