规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3102
仓库库存编号:
IRL3102-ND
别名:*IRL3102
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3102S
仓库库存编号:
IRL3102S-ND
别名:*IRL3102S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3202S
仓库库存编号:
IRL3202S-ND
别名:*IRL3202S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3302
仓库库存编号:
IRL3302-ND
别名:*IRL3302
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3302S
仓库库存编号:
IRL3302S-ND
别名:*IRL3302S
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3502
仓库库存编号:
IRL3502-ND
别名:*IRL3502
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTR
仓库库存编号:
IRLL014NTR-ND
别名:SP001558818
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IC LOW SIDE DRIVER TO-220AB
型号:
IRSF3011
仓库库存编号:
IRSF3011-ND
别名:*IRSF3011
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V 5A SOT-223
型号:
IRSF3011L
仓库库存编号:
IRSF3011L-ND
别名:*IRSF3011L
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V 3A TO220AB
型号:
IRSF3021
仓库库存编号:
IRSF3021-ND
别名:*IRSF3021
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
IC DRIVER LO SIDE 50V TO-220AB
型号:
IRSF3031
仓库库存编号:
IRSF3031-ND
别名:*IRSF3031
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
SI3443DVTR
仓库库存编号:
SI3443DVCT-ND
别名:*SI3443DVTR
SI3443DVCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY
仓库库存编号:
SI4410DY-ND
别名:*SI4410DY
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
仓库库存编号:
SI4435DYTR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DY
仓库库存编号:
SI4435DY-ND
别名:*SI4435DY
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7501TR
仓库库存编号:
IRF7501CT-ND
别名:*IRF7501TR
IRF7501
IRF7501CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7503TR
仓库库存编号:
IRF7503CT-ND
别名:*IRF7503TR
IRF7503
IRF7503CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7504TR
仓库库存编号:
IRF7504CT-ND
别名:*IRF7504TR
IRF7504
IRF7504CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7506TR
仓库库存编号:
IRF7506CT-ND
别名:*IRF7506TR
IRF7506
IRF7506CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7507TR
仓库库存编号:
IRF7507CT-ND
别名:*IRF7507TR
IRF7507
IRF7507CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7509TR
仓库库存编号:
IRF7509CT-ND
别名:*IRF7509TR
IRF7509
IRF7509CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7524D1TR
仓库库存编号:
IRF7524D1CT-ND
别名:*IRF7524D1TR
IRF7524D1
IRF7524D1CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7555TR
仓库库存编号:
IRF7555CT-ND
别名:*IRF7555TR
IRF7555
IRF7555CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.7A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7601TR
仓库库存编号:
IRF7601CT-ND
别名:*IRF7601TR
IRF7601
IRF7601CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TR
仓库库存编号:
IRF7603CT-ND
别名:*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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