以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7389
  仓库库存编号：IRF7389-ND
  别名：*IRF7389
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7463
  仓库库存编号：IRF7463-ND
  别名：*IRF7463
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807
  仓库库存编号：IRF7807-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7807D2
  仓库库存编号：IRF7807D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811A
  仓库库存编号：IRF7811A-ND
  别名：*IRF7811A
  SP001565580
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811ATR
  仓库库存编号：IRF7811ATR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410
  仓库库存编号：IRF9410-ND
  别名：*IRF9410
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9952
  仓库库存编号：IRF9952-ND
  别名：*IRF9952
  SP001563782
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953
  仓库库存编号：IRF9953-ND
  别名：*IRF9953
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9956
  仓库库存编号：IRF9956-ND
  别名：*IRF9956
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：94-4737
  仓库库存编号：94-4737-ND
  别名：*IRFR3303
  IRFR3303
  IRFR3303-ND
  SP001517800
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TR
  仓库库存编号：IRFR3303TR-ND
  别名：SP001572808
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5505
  仓库库存编号：IRFR5505-ND
  别名：*IRFR5505
  SP001573284
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3303
  仓库库存编号：IRFU3303-ND
  别名：*IRFU3303
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5505
  仓库库存编号：IRFU5505-ND
  别名：*IRFU5505
  SP001552454
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20FD
  仓库库存编号：IRG4BC20FD-ND
  别名：*IRG4BC20FD
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 16A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20KD
  仓库库存编号：IRG4BC20KD-ND
  别名：*IRG4BC20KD
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20S
  仓库库存编号：IRG4BC20S-ND
  别名：*IRG4BC20S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30S
  仓库库存编号：IRG4BC30S-ND
  别名：*IRG4BC30S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT STD 600V 60A TO-220AB
  详细描述：IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：92-0065
  仓库库存编号：92-0065-ND
  别名：IRG4BC40S
  IRG4BC40S-ND
  SP001537884
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30KD
  仓库库存编号：IRG4PC30KD-ND
  别名：*IRG4PC30KD
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 49A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40F
  仓库库存编号：IRG4PC40F-ND
  别名：*IRG4PC40F
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 600V 42A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40K
  仓库库存编号：IRG4PC40K-ND
  别名：*IRG4PC40K
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH30KD
  仓库库存编号：IRG4PH30KD-ND
  别名：*IRG4PH30KD
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 30A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH40K
  仓库库存编号：IRG4PH40K-ND
  别名：*IRG4PH40K
  SP001549534
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索