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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 150V 106A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A(Ta), 106A(Tc) 8.3W（Ta），277W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2502L
  仓库库存编号：785-1726-5-ND
  别名：785-1726-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB20N60TM
  仓库库存编号：FCB20N60TMCT-ND
  别名：FCB20N60TM_NLCT
  FCB20N60TM_NLCT-ND
  FCB20N60TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NK80Z
  仓库库存编号：497-15685-5-ND
  别名：497-15685-5
  STP8NK80Z-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB15N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB15N60E-GE3-ND
  别名：SIHB15N60EGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC50APBF
  仓库库存编号：IRFPC50APBF-ND
  别名：*IRFPC50APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP254PBF
  仓库库存编号：IRFP254PBF-ND
  别名：*IRFP254PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 266W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT20S60L
  仓库库存编号：785-1251-5-ND
  别名：785-1251-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 37.8W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF20S60L
  仓库库存编号：785-1520-5-ND
  别名：AOTF20S60L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
  
  型号：IRFI4020H-117P
  仓库库存编号：IRFI4020H-117P-ND
  别名：IRFI4020H117P
  SP001556636
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-MSOP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-MSOP-PowerPad
  
  型号：UCC27321DGN
  仓库库存编号：296-13671-5-ND
  别名：296-13671-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 225W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH8N100C
  仓库库存编号：FQH8N100C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE40PBF
  仓库库存编号：IRFPE40PBF-ND
  别名：*IRFPE40PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190C6
  仓库库存编号：IPW60R190C6-ND
  别名：IPW60R190C6FKSA1
  SP000621160
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-PDIP
  
  型号：UCC27321P
  仓库库存编号：296-13672-5-ND
  别名：296-13672-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 260W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2710
  仓库库存编号：FDP2710-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB20N50E-GE3
  仓库库存编号：SIHB20N50E-GE3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220
  
  型号：STP14NM50N
  仓库库存编号：497-10650-5-ND
  别名：497-10650-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30UDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30UDPBF-ND
  别名：*IRG4BC30UDPBF
  SP001547712
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 22.4A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R150CFDXKSA1-ND
  别名：SP000907026
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI15NM65N
  仓库库存编号：497-13951-5-ND
  别名：497-13951-5
  STFI15NM65N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.7A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF40PBF
  仓库库存编号：IRFPF40PBF-ND
  别名：*IRFPF40PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 1200V 60A 220W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30NC120HD
  仓库库存编号：497-5314-5-ND
  别名：497-5314-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R500C3
  仓库库存编号：IPW90R500C3-ND
  别名：IPW90R500C3FKSA1
  SP000413756
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB13N50APBF
  仓库库存编号：IRFB13N50APBF-ND
  别名：*IRFB13N50APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 160W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC40UPBF
  仓库库存编号：IRG4BC40UPBF-ND
  别名：*IRG4BC40UPBF
  SP001541308
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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