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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF740ALPBF
  仓库库存编号：IRF740ALPBF-ND
  别名：*IRF740ALPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Intersil
  IC HALF BRIDGE DRIVER 8SOIC
  详细描述：Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：HIP2101IBZT7A
  仓库库存编号：HIP2101IBZT7ACT-ND
  别名：HIP2101IBZT7ACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 215W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 40A 215W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB20B60PD1PBF
  仓库库存编号：IRGB20B60PD1PBF-ND
  别名：*IRGB20B60PD1PBF
  SP001548090
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI820GPBF
  仓库库存编号：IRFI820GPBF-ND
  别名：*IRFI820GPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 15A 600V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC1506
  仓库库存编号：GBPC1506FS-ND
  别名：GBPC1506FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR014
  仓库库存编号：IRLR014-ND
  别名：*IRLR014
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R250CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R250CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R250CP
  IPP60R250CPAKSA1
  IPP60R250CPIN
  IPP60R250CPIN-ND
  IPP60R250CPXK
  SP000358136
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N65APBF
  仓库库存编号：IRFB9N65APBF-ND
  别名：*IRFB9N65APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC REG CTRLR ISO PWM CM 8-SOIC
  详细描述：Converter Offline Full-Bridge, Half-Bridge, Push-Pull Topology 1MHz 8-SOIC
  
  型号：UCC2808AD-1
  仓库库存编号：296-11395-5-ND
  别名：296-11395-5
  UCC2808AD1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFSL9N60APBF
  仓库库存编号：IRFSL9N60APBF-ND
  别名：*IRFSL9N60APBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 417W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP61N20
  仓库库存编号：FDP61N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 540mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN2224N3-G
  仓库库存编号：VN2224N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001277624
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP15N60E-E3-ND
  别名：SIHP15N60EE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET DRVR SGL HS 9A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC
  
  型号：UCC27321D
  仓库库存编号：296-13670-5-ND
  别名：296-13670-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 600V 40A PWR BRIDGE
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 40A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB4006-E3/45
  仓库库存编号：PB4006-E3/45GI-ND
  别名：PB4006-E3/45-ND
  PB4006-E3/45GI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPC
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A QC Terminal GBPC
  
  型号：GBPC3508
  仓库库存编号：GBPC3508FS-ND
  别名：GBPC3508-ND
  GBPC3508FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FD-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30FD-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC30FD-SPBF
  IRG4BC30FDSPBF
  SP001549322
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 160W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC40SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC40SPBF-ND
  别名：SP001535562
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740LCPBF
  仓库库存编号：IRF740LCPBF-ND
  别名：*IRF740LCPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI8N80K5
  仓库库存编号：497-13868-5-ND
  别名：497-13868-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 392W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA59N25
  仓库库存编号：FDA59N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 315W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP165N10F4
  仓库库存编号：497-10710-5-ND
  别名：497-10710-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N50D2
  仓库库存编号：IXTA3N50D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA10N60P
  仓库库存编号：IXFA10N60P-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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