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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB11N60C3
  仓库库存编号：SPB11N60C3INCT-ND
  别名：SPB11N60C3INCT
  SPB11N60C3XTINCT
  SPB11N60C3XTINCT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 15A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU1510-G
  仓库库存编号：641-1371-5-ND
  别名：641-1371-5
  GBU1510G
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9120PBF
  仓库库存编号：IRFU9120PBF-ND
  别名：*IRFU9120PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN1206L-G
  仓库库存编号：VN1206L-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 15A 25W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF7NB60SL
  仓库库存编号：497-12054-5-ND
  别名：497-12054-5
  STGF7NB60SL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 5.3A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 5.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9010PBF
  仓库库存编号：IRFU9010PBF-ND
  别名：*IRFU9010PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2640N3-G
  仓库库存编号：TP2640N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9310PBF
  仓库库存编号：IRFU9310PBF-ND
  别名：*IRFU9310PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50T
  仓库库存编号：FDPF5N50T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GPP 50V 8A GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 8A Through Hole GBU
  
  型号：GBU8005
  仓库库存编号：GBU8005DI-ND
  别名：GBU8005DI
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 185W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP10N60NZ
  仓库库存编号：FDP10N60NZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9110PBF
  仓库库存编号：IRFU9110PBF-ND
  别名：*IRFU9110PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 11A 28W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 11A 28W Through Hole TO-220FP
  
  型号：STGF14NC60KD
  仓库库存编号：497-5115-5-ND
  别名：497-5115-5
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 127W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50R190CE
  仓库库存编号：IPP50R190CE-ND
  别名：IPP50R190CEXKSA1
  SP000850802
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU024PBF
  仓库库存编号：IRFU024PBF-ND
  别名：*IRFU024PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  IC SYNC BUCK NEXFET 12SON
  详细描述：Half Bridge Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET 12-LSON (5x6)
  
  型号：CSD95372AQ5M
  仓库库存编号：296-36399-1-ND
  别名：296-36399-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP4N80
  仓库库存编号：FQP4N80FS-ND
  别名：FQP4N80-ND
  FQP4N80FS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA04N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216299
  SPA04N60C3
  SPA04N60C3IN
  SPA04N60C3IN-ND
  SPA04N60C3XK
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP18N20F
  仓库库存编号：FDP18N20F-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），90A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS8558SDC
  仓库库存编号：FDMS8558SDCCT-ND
  别名：FDMS8558SDCCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD4NK80Z-1
  仓库库存编号：497-12560-5-ND
  别名：497-12560-5
  STD4NK80Z-1-ND
  STD4NK80Z1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF20PBF
  仓库库存编号：IRFBF20PBF-ND
  别名：*IRFBF20PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 20A 1KV GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2010-BP
  仓库库存编号：GBJ2010-BPMS-ND
  别名：GBJ2010-BPMS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9220PBF
  仓库库存编号：IRFU9220PBF-ND
  别名：*IRFU9220PBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF620SPBF
  仓库库存编号：IRF620SPBF-ND
  别名：*IRF620SPBF
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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