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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190V 950mA（Tc） 1.9W（Ta），7W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA850DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA850DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA850DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5906DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5906DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5906DU-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4W（Ta），70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD45P03-10-E3
  仓库库存编号：SUD45P03-10-E3CT-ND
  别名：SUD45P03-10-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  TVS DIODE 3.5VWM GMD2
  
  型号：RSB6.8ZST2N
  仓库库存编号：RSB6.8ZST2NCT-ND
  别名：RSB6.8ZST2NCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF1N05ER2G
  仓库库存编号：MMDF1N05ER2GOSCT-ND
  别名：MMDF1N05ER2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 14A, 11A 1.3W, 1.1W Surface Mount 14-SO
  
  型号：FDQ7238AS
  仓库库存编号：FDQ7238ASFSCT-ND
  别名：FDQ7238ASFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 50MHz 1W Through Hole TO-92
  
  型号：MPSW01ARLRPG
  仓库库存编号：MPSW01ARLRPGOSCT-ND
  别名：MPSW01ARLRPGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 20V 1A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 1A 65MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC369ZL1G
  仓库库存编号：BC369ZL1GOSCT-ND
  别名：BC369ZL1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 50V 2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92
  
  型号：2SA1020RLRAG
  仓库库存编号：2SA1020RLRAGOSCT-ND
  别名：2SA1020RLRAGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6N04R2G
  仓库库存编号：NTMD6N04R2GOSCT-ND
  别名：NTMD6N04R2GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），64A（Tc） 870mW（Ta），42.4W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4839NHT1G
  仓库库存编号：NTMFS4839NHT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4839NHT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.7A（Ta），100A（Tc） 890mW（Ta），55.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4846NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4846NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4846NT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：FDV301N_NB9V005
  仓库库存编号：FDV301N_NB9V005CT-ND
  别名：FDV301N_NB9V005CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IC MOSFET DVR 60V 3.3A 8SOIC
  
  型号：NIMD6001ANR2G
  仓库库存编号：NIMD6001ANR2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.8A, 1.5A 800mW Surface Mount 6-MCPH
  
  型号：MCH6663-TL-H
  仓库库存编号：MCH6663-TL-H-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 229W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB15N120LWG
  仓库库存编号：NGTB15N120LWGOS-ND
  别名：NGTB15N120LWG-ND
  NGTB15N120LWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB25N120LWG
  仓库库存编号：NGTB25N120LWGOS-ND
  别名：NGTB25N120LWG-ND
  NGTB25N120LWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A,115
  仓库库存编号：568-9711-1-ND
  别名：568-9711-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55A,115
  仓库库存编号：568-9712-1-ND
  别名：568-9712-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK98180-100A,115
  仓库库存编号：568-9714-1-ND
  别名：568-9714-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220V 7.3A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PML340SN,118
  仓库库存编号：1727-7221-1-ND
  别名：1727-7221-1
  568-9717-1
  568-9717-1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 90A 300W TO263
  详细描述：IGBT PT 600V 90A 300W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA50N60C4
  仓库库存编号：IXGA50N60C4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 56A 190W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N60C4
  仓库库存编号：IXGH24N60C4-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 56A 190W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 56A 190W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH24N60C4D1
  仓库库存编号：IXGH24N60C4D1-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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