以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 25V 37A DFN3.3X3.3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 37A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7220
  仓库库存编号：AON7220-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta），39A（Tc） 3.1W（Ta），26W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7402
  仓库库存编号：AON7402-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7424
  仓库库存编号：AON7424-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.1W Surface Mount 8-DFN (3x3)
  
  型号：AON7820
  仓库库存编号：AON7820-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 13A 1.8W Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  
  型号：AON7902
  仓库库存编号：AON7902-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF14N50FD
  仓库库存编号：AOTF14N50FD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF2N60
  仓库库存编号：AOTF2N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF8N60
  仓库库存编号：AOTF8N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 89W（Tc） TO-251-3
  
  型号：AOU7S65
  仓库库存编号：785-1523-5-ND
  别名：AOU7S65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR HIGH SIDE 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN7171MX
  仓库库存编号：FAN7171MX-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 14A, 11A 1.3W, 1.1W Surface Mount 14-SO
  
  型号：FDQ7236AS
  仓库库存编号：FDQ7236AS-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IC GATE DVR HIGH SIDE 8-SOIC
  详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：FAN7171M
  仓库库存编号：FAN7171M-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N
  仓库库存编号：FCI25N60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N
  仓库库存编号：FCP25N60N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD5N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHD5N50D-GE3TR-ND
  别名：SIHD5N50D-GE3TR
  SIHD5N50DGE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-microfoot
  
  型号：SI8416DB-T1-GE3
  仓库库存编号：SI8416DB-T1-GE3CT-ND
  别名：SI8416DB-T1-GE3CT
  SI8416DBT1GE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5429DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5429DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5429DU-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE GPP SGL 0.5A 1000V MB1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 500mA Through Hole MB-1
  
  型号：MB10M-BP
  仓库库存编号：MB10M-BPMS-ND
  别名：MB10M-BPMS
  MB10MBP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
  详细描述：IGBT 1200V 30A 156W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB15N120IHLWG
  仓库库存编号：NGTB15N120IHLWGOS-ND
  别名：NGTB15N120IHLWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
  详细描述：IGBT 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB20N120IHLWG
  仓库库存编号：NGTB20N120IHLWGOS-ND
  别名：NGTB20N120IHLWGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），156A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4833NST1G
  仓库库存编号：NTMFS4833NST1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），156A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4833NST3G
  仓库库存编号：NTMFS4833NST3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15.2A（Ta），149A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4854NST1G
  仓库库存编号：NTMFS4854NST1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 15.2A（Ta），149A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） SO-8FL
  
  型号：NTMFS4854NST3G
  仓库库存编号：NTMFS4854NST3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 3.4A 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.4A（Ta） 800mW（Ta） 4-WLCSP（1.6x1.6）
  
  型号：AOC2411
  仓库库存编号：785-1419-1-ND
  别名：785-1419-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索