规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Bourns Inc.
TVS DIODE 430VWM 600VC AXIAL
型号:
PTVS6-430C
仓库库存编号:
PTVS6-430C-ND
别名:PTVS6430C
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 380VWM 570VC AXIAL
型号:
PTVS3-380C
仓库库存编号:
PTVS3-380C-ND
别名:PTVS3380C
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 430VWM 620VC AXIAL
型号:
PTVS3-430C
仓库库存编号:
PTVS3-430C-ND
别名:PTVS3430C
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 150V 1A SOT89
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 1A 1.5W Surface Mount SOT-89
型号:
ZXTN4004ZTA
仓库库存编号:
ZXTN4004ZTACT-ND
别名:ZXTN4004ZTACT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMG4406LSS-13
仓库库存编号:
DMG4406LSS-13DICT-ND
别名:DMG4406LSS-13DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TVS DIODE 200VWM 324VC SMA
型号:
SMAJ200CA-13-F
仓库库存编号:
SMAJ200CA-13FDICT-ND
别名:SMAJ200CA-13-FDICT
SMAJ200CA-13-FDICT-ND
SMAJ200CA-13FDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 670mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT3P20TF_SB82100
仓库库存编号:
FQT3P20TF_SB82100CT-ND
别名:FQT3P20TF_SB82100CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Tc) 200mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002MTF
仓库库存编号:
2N7002MTFCT-ND
别名:2N7002MTFCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN359BN
仓库库存编号:
FDN359BNFSCT-ND
别名:FDN359BNFSCT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9410BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9410BDY-T1-E3CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 183A 780W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
型号:
APT102GA60B2
仓库库存编号:
APT102GA60B2-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 219W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT30N60KC6
仓库库存编号:
APT30N60KC6-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4202
仓库库存编号:
785-1282-1-ND
别名:785-1282-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4304
仓库库存编号:
785-1283-1-ND
别名:785-1283-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4420A
仓库库存编号:
785-1287-1-ND
别名:785-1287-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4478
仓库库存编号:
785-1289-1-ND
别名:785-1289-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4718
仓库库存编号:
785-1295-1-ND
别名:785-1295-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4720
仓库库存编号:
785-1296-1-ND
别名:785-1296-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4722
仓库库存编号:
785-1297-1-ND
别名:785-1297-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4724
仓库库存编号:
785-1298-1-ND
别名:785-1298-1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 200mA(Ta) 425mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMP57D5UFB-7
仓库库存编号:
DMP57D5UFB-7DICT-ND
别名:DMP57D5UFB-7DICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Intersil
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 10-TDFN (4x4)
型号:
HIP2120FRTAZ
仓库库存编号:
HIP2120FRTAZ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Intersil
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 10-TDFN (4x4)
型号:
HIP2120FRTAZ-T
仓库库存编号:
HIP2120FRTAZ-T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Intersil
IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 9-TDFN (4x4)
型号:
HIP2120FRTBZ
仓库库存编号:
HIP2120FRTBZ-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 9-TDFN (4x4)
型号:
HIP2120FRTBZ-T
仓库库存编号:
HIP2120FRTBZ-T-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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