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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 85W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP2N90
仓库库存编号：
FQP2N90FS-ND
别名：FQP2N90-ND
FQP2N90FS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP10N20C
仓库库存编号：
FQP10N20C-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS NPN 60V 10A TO220AB
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220AB
型号：
D44H8G
仓库库存编号：
D44H8GOS-ND
别名：D44H8GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9024NPBF
仓库库存编号：
IRFU9024NPBF-ND
别名：*IRFU9024NPBF
SP001557756
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
TVS DIODE 43VWM DO214AB (SMC)
型号：
SMC3K43CA-M3/57
仓库库存编号：
SMC3K43CA-M3/57GICT-ND
别名：SMC3K43CA-M3/57GICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014PBF
仓库库存编号：
IRLU014PBF-ND
别名：*IRLU014PBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5N40TU
仓库库存编号：
FQU5N40TU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
型号：
FDMS3672
仓库库存编号：
FDMS3672CT-ND
别名：FDMS3672CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），116W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD18533Q5AT
仓库库存编号：
296-41959-1-ND
别名：296-41959-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4434DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4434DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4434DY-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4456DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4456DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4456DY-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB07N60C3
仓库库存编号：
SPB07N60C3INCT-ND
别名：SPB07N60C3INCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 104W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号：
SIHD5N50D-GE3-ND
别名：SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 8-VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17556Q5B
仓库库存编号：
296-35726-1-ND
别名：296-35726-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
FDS86240
仓库库存编号：
FDS86240CT-ND
别名：FDS86240CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
型号：
FDMS8025S
仓库库存编号：
FDMS8025SCT-ND
别名：FDMS8025SCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.1A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS030N06B
仓库库存编号：
FDMS030N06BCT-ND
别名：FDMS030N06BCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420APBF
仓库库存编号：
IRFR420APBF-ND
别名：*IRFR420APBF
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP3N60C
仓库库存编号：
FQP3N60CFS-ND
别名：FQP3N60C-ND
FQP3N60CFS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3600S
仓库库存编号：
FDMS3600SFSCT-ND
别名：FDMS3600SFSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 21W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF770N15A
仓库库存编号：
FDPF770N15A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0606L-G
仓库库存编号：
VN0606L-G-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R310CFD
仓库库存编号：
IPB65R310CFDCT-ND
别名：IPB65R310CFDCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
型号：
SI4842BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4842BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4842BDY-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE868DF-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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