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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N60CTM
  仓库库存编号：FQD5N60CTMCT-ND
  别名：FQD5N60CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD682G
  仓库库存编号：BD682GOS-ND
  别名：BD682GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 500V 150mA 60MHz 1W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  
  型号：ZTX560
  仓库库存编号：ZTX560-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7636DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7636DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7636DP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMP6A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMP6A16DN8CT-ND
  别名：ZXMP6A16DN8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMN3B04N8TA
  仓库库存编号：ZXMN3B04N8CT-ND
  别名：ZXMN3B04N8CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD677G
  仓库库存编号：BD677GOS-ND
  别名：BD677G-ND
  BD677GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 60V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD678G
  仓库库存编号：BD678GOS-ND
  别名：BD678G-ND
  BD678GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD679AG
  仓库库存编号：BD679AGOS-ND
  别名：BD679AG-ND
  BD679AGOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3622S
  仓库库存编号：FDMS3622SCT-ND
  别名：FDMS3622SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7450TRPBF
  仓库库存编号：IRF7450PBFCT-ND
  别名：*IRF7450TRPBF
  IRF7450PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8840NZ
  仓库库存编号：FDS8840NZCT-ND
  别名：FDS8840NZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7892BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7892BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7892BDP-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.2A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ900N20NS3 G
  仓库库存编号：BSZ900N20NS3GCT-ND
  别名：BSZ900N20NS3GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU1N60CTU
  仓库库存编号：FQU1N60CTUFS-ND
  别名：FQU1N60CTU-ND
  FQU1N60CTUFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G
  仓库库存编号：DN2535N3-G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 800V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB106-BP
  仓库库存编号：DB106-BPMS-ND
  别名：DB106-BPMS
  DB106BP
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 1.5A 200V KBPM
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole KBPM
  
  型号：KBP02M-E4/51
  仓库库存编号：KBP02M-E4/51GI-ND
  别名：KBP02M-E4/51-ND
  KBP02ME451
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD5353
  仓库库存编号：FDD5353CT-ND
  别名：FDD5353CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR812DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR812DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR812DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58.8A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ470DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4136DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4136DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4136DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P03XTA
  仓库库存编号：ZXM64P03XCT-ND
  别名：ZXM64P03X
  ZXM64P03XCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN0124A
  仓库库存编号：ZVN0124A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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