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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB660-E3/45
  仓库库存编号：VSIB660-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 800V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB680-E3/45
  仓库库存编号：VSIB680-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 200V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB6A20-E3/45
  仓库库存编号：VSIB6A20-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 400V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB6A40-E3/45
  仓库库存编号：VSIB6A40-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 600V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB6A60-E3/45
  仓库库存编号：VSIB6A60-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE 6A 800V SGL BRIDGE 4SIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 2.8A Through Hole GSIB-5S
  
  型号：VSIB6A80-E3/45
  仓库库存编号：VSIB6A80-E3/45-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3348-TL-E
  仓库库存编号：869-1130-1-ND
  别名：869-1130-1
  CPH3348TLE
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS 2NPN 45V 0.1A SC70-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 210mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：BC847BS
  仓库库存编号：BC847BSCT-ND
  别名：BC847BSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TVS DIODE 75VWM 14SOIC
  
  型号：MMAD1103E3
  仓库库存编号：MMAD1103E3-ND
  别名：MMAD1103E3/TU
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1.4W（Ta） MicroFET 2x2 薄型
  
  型号：FDFMA2P859T
  仓库库存编号：FDFMA2P859TCT-ND
  别名：FDFMA2P859TCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.3A（Ta） 2.17W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN3020LK3-13
  仓库库存编号：DMN3020LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3020LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11.6A（Ta） 2.14W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN2027LK3-13
  仓库库存编号：DMN2027LK3-13DICT-ND
  别名：DMN2027LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13.5A（Ta） 2.19W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN4015LK3-13
  仓库库存编号：DMN4015LK3-13DICT-ND
  别名：DMN4015LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 18A（Ta） 2.19W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMN4009LK3-13
  仓库库存编号：DMN4009LK3-13DICT-ND
  别名：DMN4009LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10.6A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
  
  型号：DMP3025LK3-13
  仓库库存编号：DMP3025LK3-13DICT-ND
  别名：DMP3025LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 3A 700mW Surface Mount 9-DSBGA
  
  型号：CSD75204W15
  仓库库存编号：296-25334-1-ND
  别名：296-25334-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 750mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
  
  型号：CSD75205W1015
  仓库库存编号：296-25335-1-ND
  别名：296-25335-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 3000V 80A 400W TO268
  详细描述：IGBT 3000V 80A 400W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT32N300
  仓库库存编号：IXBT32N300-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2.4W（Ta） 6-SON
  
  型号：CSD25302Q2
  仓库库存编号：296-25444-1-ND
  别名：296-25444-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP260
  仓库库存编号：IRFP260X-ND
  别名：IRFP260X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 38A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD
  
  型号：IRFP264
  仓库库存编号：IRFP264X-ND
  别名：IRFP264X
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.62A（Ta） 990mW（Ta） U-DFN3030-8
  
  型号：DMG4468LFG
  仓库库存编号：DMG4468LFGDICT-ND
  别名：DMG4468LFGDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 810mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4935NR2G
  仓库库存编号：NTMS4935NR2G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta），35A（Tc） 910mW（Ta），19.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4945NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4945NT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），93A（Tc） 930mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4935NBT1G
  仓库库存编号：NTMFS4935NBT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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