规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N02KS G
仓库库存编号：
BSC026N02KS GCT-ND
别名：BSC026N02KS GCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 200V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DFM
型号：
DF02M-E3/45
仓库库存编号：
DF02M-E3/45GI-ND
别名：DF02M-E3/45-ND
DF02M-E3/45GI
DF02ME345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 100V 4DIP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Through Hole DFM
型号：
DF01M-E3/45
仓库库存编号：
DF01M-E3/45GI-ND
别名：DF01M-E3/45-ND
DF01M-E3/45GI
DF01ME345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8935
仓库库存编号：
FDS8935CT-ND
别名：FDS8935CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1.5A 600V 4SMD
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Surface Mount DFS
型号：
DF1506S-E3/45
仓库库存编号：
DF1506S-E3/45GI-ND
别名：DF1506S-E3/45-ND
DF1506S-E3/45GI
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3626S
仓库库存编号：
FDMS3626SCT-ND
别名：FDMS3626SCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 16A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC7208S
仓库库存编号：
FDMC7208SCT-ND
别名：FDMC7208SCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7473TRPBF
仓库库存编号：
IRF7473PBFCT-ND
别名：*IRF7473TRPBF
IRF7473PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7280
仓库库存编号：
785-1614-1-ND
别名：785-1614-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IC GATE DRIVER DUAL 4A 8SOIC
详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
型号：
FAN3225TMX
仓库库存编号：
FAN3225TMXCT-ND
别名：FAN3225TMXCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 600V DB-1
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DB-1
型号：
DB105-BP
仓库库存编号：
DB105-BPMS-ND
别名：DB105-BPMS
DB105BP
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 45V 4A TO-225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
型号：
BD437G
仓库库存编号：
BD437GOS-ND
别名：BD437G-ND
BD437GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 80V 4A TO225
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
BD680AG
仓库库存编号：
BD680AGOS-ND
别名：BD680AG-ND
BD680AGOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 2A TO-225
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 3MHz 25W Through Hole TO-225AA
型号：
BD237G
仓库库存编号：
BD237GOS-ND
别名：BD237G-ND
BD237GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
BD679G
仓库库存编号：
BD679GOS-ND
别名：BD679GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4618DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4618DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4618DY-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TVS DIODE 110VWM 177VC SMC
型号：
SMCJ110CA-13-F
仓库库存编号：
SMCJ110CA-FDICT-ND
别名：SMCJ110CA-FDICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GPP 1A 100V 4SMD
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF01S-E3/45
仓库库存编号：
DF01S-E3/45GI-ND
别名：DF01S-E3/45-ND
DF01S-E3/45GI
DF01SE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 400V DFS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF04S-E3/45
仓库库存编号：
DF04S-E3/45GI-ND
别名：DF04S-E3/45GI
DF04S-E3\45
DF04S-E3\45GI
DF04S-E3\45GI-ND
DF04SE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 200V DFS
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount DFS
型号：
DF02S-E3/45
仓库库存编号：
DF02S-E3/45GI-ND
别名：DF02S-E3/45GI
DF02S-E3\45
DF02S-E3\45GI
DF02S-E3\45GI-ND
DF02SE345
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 4A TO-225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
型号：
BD441G
仓库库存编号：
BD441GOS-ND
别名：BD441G-ND
BD441GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7805TRPBF
仓库库存编号：
IRF7805PBFCT-ND
别名：*IRF7805TRPBF
IRF7805PBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号：
MJE803G
仓库库存编号：
MJE803GOS-ND
别名：MJE803GOS
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号：
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名：BSZ025N04LSATMA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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