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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7948DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7948DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7948DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA417DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA417DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA417DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA419DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA419DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA419DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA511DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA511DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA511DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA513DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA513DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA513DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 双
  
  型号：SIA814DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA814DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA814DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA911EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA911EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA911EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA912DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA912DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA912DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA913DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA913DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA913DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA917DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA917DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA917DJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB413DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB413DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB413DK-T1-GE3CT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB414DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB414DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB414DK-T1-GE3CT
  
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  MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB415DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB415DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB415DK-T1-GE3CT
  
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  MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB417DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB417DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB417DK-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 9A（Tc） 2.45W（Ta），13.1W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB419DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB419DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB419DK-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Tc） 1.1W（Ta），3.1W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB800EDK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB800EDK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB800EDK-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK? SC-75-6L Dual
  
  型号：SIB914DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB914DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB914DK-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR496DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR496DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR496DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR840DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR840DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR840DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR888DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR888DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR888DP-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS426DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS426DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS426DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 20.5A（Tc） 3.6W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4108DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4108DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4108DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 17.3A（Tc） 3.6W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4110DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4110DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4110DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4170DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4170DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4170DY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4226DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4226DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4226DY-T1-GE3TR
  SI4226DYT1GE3
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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