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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB
  
  型号：SMLJ6.0CA
  仓库库存编号：SMLJ6.0CABCT-ND
  别名：SMLJ6.0CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB
  
  型号：SMLJ14CA
  仓库库存编号：SMLJ14CABCT-ND
  别名：SMLJ14CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
  
  型号：SMLJ20CA
  仓库库存编号：SMLJ20CABCT-ND
  别名：SMLJ20CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 16VWM 26VC DO214AB
  
  型号：SMLJ16CA
  仓库库存编号：SMLJ16CABCT-ND
  别名：SMLJ16CABCT
  SMLJ16CACT
  SMLJ16CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
  
  型号：SMLJ22CA
  仓库库存编号：SMLJ22CABCT-ND
  别名：SMLJ22CABCT
  SMLJ22CACT
  SMLJ22CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
  详细描述：N 沟道 500mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP298H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP298H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP298H6327XUSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 150V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta），7.1A（Tc） 1.9W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN15H310SE-13
  仓库库存编号：DMN15H310SE-13DICT-ND
  别名：DMN15H310SE-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88539NDT
  仓库库存编号：296-37796-1-ND
  别名：296-37796-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AB
  
  型号：SMLJ64CA
  仓库库存编号：SMLJ64CABCT-ND
  别名：SMLJ64CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AB
  
  型号：SMLJ160CA
  仓库库存编号：SMLJ160CABCT-ND
  别名：SMLJ160CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
  
  型号：SMLJ70CA
  仓库库存编号：SMLJ70CABCT-ND
  别名：SMLJ70CABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB
  
  型号：SMLJ75CA
  仓库库存编号：SMLJ75CABCT-ND
  别名：SMLJ75CABCT
  SMLJ75CACT
  SMLJ75CACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC046N02KS G
  仓库库存编号：BSC046N02KS GCT-ND
  别名：BSC046N02KS GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8788TRPBF
  仓库库存编号：IRF8788TRPBFCT-ND
  别名：IRF8788TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF3717TRPBF
  仓库库存编号：IRF3717PBFCT-ND
  别名：*IRF3717TRPBF
  IRF3717PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6298
  仓库库存编号：FDS6298CT-ND
  别名：FDS6298CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），65W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7670AS
  仓库库存编号：FDMS7670ASFSCT-ND
  别名：FDMS7670ASFSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 60V 1.5A TO-225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD137G
  仓库库存编号：BD137GOS-ND
  别名：BD137G-ND
  BD137GOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7806ADN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7806ADN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7806ADN-T1-E3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7451TRPBF
  仓库库存编号：IRF7451PBFCT-ND
  别名：*IRF7451TRPBF
  IRF7451PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA04DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA04DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA04DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS40DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS40DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS40DN-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD5N50NZTM
  仓库库存编号：FDD5N50NZTMCT-ND
  别名：FDD5N50NZTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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