规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA914DJ-T1-E3
仓库库存编号：
SIA914DJ-T1-E3CT-ND
别名：SIA914DJ-T1-E3CT
SIA914DJT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB411DK-T1-E3
仓库库存编号：
SIB411DK-T1-E3CT-ND
别名：SIB411DK-T1-E3CT
SIB411DKT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
型号：
SIB412DK-T1-E3
仓库库存编号：
SIB412DK-T1-E3CT-ND
别名：SIB412DK-T1-E3CT
SIB412DKT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 3.1W Surface Mount PowerPAK? SC-75-6L Dual
型号：
SIB911DK-T1-E3
仓库库存编号：
SIB911DK-T1-E3CT-ND
别名：SIB911DK-T1-E3CT
SIB911DKT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE800DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE800DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE800DF-T1-E3CT
SIE800DFT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE806DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE820DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE820DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE820DF-T1-E3CT
SIE820DFT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE830DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE830DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE830DF-T1-E3CT
SIE830DFT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK? (2x5)
型号：
SIF902EDZ-T1-E3
仓库库存编号：
SIF902EDZ-T1-E3CT-ND
别名：SIF902EDZ-T1-E3CT
SIF902EDZT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK? (2x5)
型号：
SIF912EDZ-T1-E3
仓库库存编号：
SIF912EDZ-T1-E3CT-ND
别名：SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZT1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TN0200K-T1-E3
仓库库存编号：
TN0200K-T1-E3CT-ND
别名：TN0200K-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 420mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TN0201K-T1-E3
仓库库存编号：
TN0201K-T1-E3CT-ND
别名：TN0201K-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TP0101K-T1-E3
仓库库存编号：
TP0101K-T1-E3CT-ND
别名：TP0101K-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 385mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TP0202K-T1-E3
仓库库存编号：
TP0202K-T1-E3CT-ND
别名：TP0202K-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 60V 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA
型号：
TP0610KL-TR1-E3
仓库库存编号：
TP0610KL-TR1-E3CT-ND
别名：TP0610KL-TR1-E3CT
TP0610KLTR1E3
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 300V 44.6W TO220F
详细描述：IGBT Trench 300V 44.6W Through Hole TO-220F
型号：
FGPF30N30TTU
仓库库存编号：
FGPF30N30TTU-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
FDFS2P753AZ
仓库库存编号：
FDFS2P753AZCT-ND
别名：FDFS2P753AZCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IC CTRLR PWM POWER MOS SO-16
详细描述：High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SO
型号：
L9610C013TR
仓库库存编号：
L9610C013TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE SMB
型号：
SM6T16A
仓库库存编号：
SM6T16A-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
TVS DIODE 43VWM SMB
型号：
SMBJ43CA-TR
仓库库存编号：
SMBJ43CA-TR-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 20A 60W DPAK
详细描述：IGBT 600V 20A 60W Surface Mount D-Pak
型号：
STGD10NC60KT4
仓库库存编号：
STGD10NC60KT4-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 9A 24W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 9A 24W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF10NC60HD
仓库库存编号：
STGF10NC60HD-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 56W TO220
详细描述：IGBT 600V 15A 56W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP6NC60H
仓库库存编号：
STGP6NC60H-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW35NB60S
仓库库存编号：
497-7486-5-ND
别名：497-7486-5
STGW35NB60S-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 200MHz 1W Surface Mount SOT-223
型号：
DCP52-13
仓库库存编号：
DCP52DICT-ND
别名：DCP52DICT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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