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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6.4A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA6N90_F109
  仓库库存编号：FQA6N90_F109-ND
  别名：FQA6N90-F109
  FQA6N90-F109-ND
  Q3402555
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 46W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 46W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF30N30DTU
  仓库库存编号：FGPF30N30DTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.1W（Ta） 18-BGA（2.5x4）
  
  型号：FDZ7296
  仓库库存编号：FDZ7296CT-ND
  别名：FDZ7296CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 33A 150W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII30-12E
  仓库库存编号：FII30-12E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT PHASE NPT3 ISOPLUS I4-PAC-5
  详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FII50-12E
  仓库库存编号：FII50-12E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
  详细描述：IGBT NPT 1200V 50A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FIO50-12BD
  仓库库存编号：FIO50-12BD-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXCP01N90E
  仓库库存编号：IXCP01N90E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-252
  
  型号：IXCY01N90E
  仓库库存编号：IXCY01N90E-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD404SIA
  仓库库存编号：IXDD404SIA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 16-SOIC
  
  型号：IXDD404SIA-16
  仓库库存编号：IXDD404SIA-16-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5
  
  型号：IXDD409CI
  仓库库存编号：IXDD409CI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：IXDD409PI
  仓库库存编号：IXDD409PI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD409SI
  仓库库存编号：IXDD409SI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 14-SOIC
  
  型号：IXDD414SI
  仓库库存编号：IXDD414SI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5
  
  型号：IXDD430CI
  仓库库存编号：IXDD430CI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5
  
  型号：IXDD430MCI
  仓库库存编号：IXDD430MCI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D2Pak)
  
  型号：IXDD430MYI
  仓库库存编号：IXDD430MYI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-263 (D2Pak)
  
  型号：IXDD430YI
  仓库库存编号：IXDD430YI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 4A 8-DFN
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN (5x4)
  
  型号：IXDD504D2
  仓库库存编号：IXDD504D2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 4A 8-DFN
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DFN (5x4)
  
  型号：IXDD504D2T/R
  仓库库存编号：IXDD504D2T/R-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 4A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：IXDD504PI
  仓库库存编号：IXDD504PI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD504SIA
  仓库库存编号：IXDD504SIA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD504SIAT/R
  仓库库存编号：IXDD504SIAT/R-ND
  
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  IC GATE DRIVER 9A 8-DIP
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
  
  型号：IXDD509PI
  仓库库存编号：IXDD509PI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IC GATE DRIVER 9A 8-SOIC
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  
  型号：IXDD509SIA
  仓库库存编号：IXDD509SIA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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