以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 57A（Tc） 520W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT40M70LVFRG
  仓库库存编号：APT40M70LVFRG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 4A（Tc） 225W（Tc） TO-220
  
  型号：APT4F120K
  仓库库存编号：APT4F120K-ND
  别名：APT4F120KMI
  APT4F120KMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 5A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT4M120K
  仓库库存编号：APT4M120K-ND
  别名：APT4M120KMI
  APT4M120KMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 27A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT5018BLLG
  仓库库存编号：APT5018BLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 72A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 72A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT50GT120JRDQ2
  仓库库存编号：APT50GT120JRDQ2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 44A（Tc） 463W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT5510JFLL
  仓库库存编号：APT5510JFLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 31A（Tc） 403W（Tc） TO-247-3
  
  型号：APT5518BFLLG
  仓库库存编号：APT5518BFLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 77A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT55M50JFLL
  仓库库存编号：APT55M50JFLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 63A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT55M65JFLL
  仓库库存编号：APT55M65JFLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT5F100K
  仓库库存编号：APT5F100K-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 93A 378W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 93A 378W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT60GT60JR
  仓库库存编号：APT60GT60JR-ND
  别名：APT60GT60JRMI
  APT60GT60JRMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 62A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M75JVFR
  仓库库存编号：APT60M75JVFR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 55A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M80JVR
  仓库库存编号：APT60M80JVR-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT6M100K
  仓库库存编号：APT6M100K-ND
  别名：APT6M100KMI
  APT6M100KMI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120JDQ3G
  仓库库存编号：APT75GN120JDQ3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 124A 379W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GN120J
  仓库库存编号：APT75GN120J-ND
  别名：APT75GN120JG
  APT75GN120JG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT7F80K
  仓库库存编号：APT7F80K-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 42A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8014JLL
  仓库库存编号：APT8014JLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT8024JLL
  仓库库存编号：APT8024JLL-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8024LLLG
  仓库库存编号：APT8024LLLG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220 [K]
  
  型号：APT8M80K
  仓库库存编号：APT8M80K-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Analog Devices Inc.
  TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 36V 20mA 190MHz 500mW Through Hole TO-78-6
  
  型号：MAT03FHZ
  仓库库存编号：MAT03FHZ-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 16A（Tc） 260W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA15N65
  仓库库存编号：FDA15N65-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N50U
  仓库库存编号：FDPF7N50U-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 46W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 46W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF30N30
  仓库库存编号：FGPF30N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索