规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC AXIAL
型号:
P6KE43A
仓库库存编号:
P6KE43AOS-ND
别名:P6KE43AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC AXIAL
型号:
P6KE47A
仓库库存编号:
P6KE47AOS-ND
别名:P6KE47AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC AXIAL
型号:
P6KE51A
仓库库存编号:
P6KE51AOS-ND
别名:P6KE51AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 47.8VWM 77VC AXIAL
型号:
P6KE56A
仓库库存编号:
P6KE56AOS-ND
别名:P6KE56AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 11VWM 18.2VC AXIAL
型号:
SA11A
仓库库存编号:
SA11AOS-ND
别名:SA11AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 16VWM 26VC AXIAL
型号:
SA16A
仓库库存编号:
SA16AOS-ND
别名:SA16AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 28VWM 45.4VC AXIAL
型号:
SA28A
仓库库存编号:
SA28AOS-ND
别名:SA28AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 33VWM 53.3VC AXIAL
型号:
SA33A
仓库库存编号:
SA33AOS-ND
别名:SA33AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 36VWM 58.1VC AXIAL
型号:
SA36A
仓库库存编号:
SA36AOS-ND
别名:SA36AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
ON Semiconductor
TVS DIODE 43VWM 69.4VC AXIAL
型号:
SA43A
仓库库存编号:
SA43AOS-ND
别名:SA43AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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ON Semiconductor
TVS DIODE 48VWM 77.4VC AXIAL
型号:
SA48A
仓库库存编号:
SA48AOS-ND
别名:SA48AOS
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2LLG
仓库库存编号:
APT10035B2LLG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 625W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10M09B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M09B2VFRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX?
型号:
APT10M11B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M11B2VFRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 25A 156W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT11GF120BRDQ1G
仓库库存编号:
APT11GF120BRDQ1G-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 25A 156W TO220
详细描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT11GF120KRG
仓库库存编号:
APT11GF120KRG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 11A(Tc) 156W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT11N80KC3G
仓库库存编号:
APT11N80KC3G-ND
别名:APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3GMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1204R7KFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7KFLLG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT12F60K
仓库库存编号:
APT12F60K-ND
别名:APT12F60KMI
APT12F60KMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 41A 250W TO220
详细描述:IGBT PT 1200V 41A 250W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT13GP120KG
仓库库存编号:
APT13GP120KG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1400V 23A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT14050JVFR
仓库库存编号:
APT14050JVFR-ND
别名:APT14050JFVR
APT14050JFVR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 223W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT15F50K
仓库库存编号:
APT15F50K-ND
别名:APT15F50KMI
APT15F50KMI-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 45A 195W TO220
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT15GN120KG
仓库库存编号:
APT15GN120KG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO220
详细描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT15GP60KG
仓库库存编号:
APT15GP60KG-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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