以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CHAN 20V SSOT-8
  
  型号：FDR8521L
  仓库库存编号：FDR8521LCT-ND
  别名：FDR8521LCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 75A（Tc） 520W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA75N28
  仓库库存编号：FDA75N28-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 34A（Tc） 161W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF59N30
  仓库库存编号：FDAF59N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 36A（Tc） 165W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF62N28
  仓库库存编号：FDAF62N28-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 280V 46A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 280V 46A（Tc） 215W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FDAF75N28
  仓库库存编号：FDAF75N28-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 300V 52W TO220F
  详细描述：IGBT 300V 52W Through Hole TO-220F
  
  型号：FGPF70N30
  仓库库存编号：FGPF70N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 380mA（Tc） 890mW（Ta），2.08W（Tc） TO-92-3
  
  型号：FQN1N50CBU
  仓库库存编号：FQN1N50CBU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N50TF
  仓库库存编号：FDD6N50TFCT-ND
  别名：FDD6N50TFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 330V 25A（Tc） 3.1W（Ta），250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB25N33TM
  仓库库存编号：FQB25N33TMCT-ND
  别名：FQB25N33TMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 173W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N65CTM
  仓库库存编号：FQB7N65CTMCT-ND
  别名：FQB7N65CTMCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8672S
  仓库库存编号：FDMS8672SCT-ND
  别名：FDMS8672SCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 11A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT?-8
  
  型号：FDR842P
  仓库库存编号：FDR842PCT-ND
  别名：FDR842PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N90TF
  仓库库存编号：FQD2N90TFCT-ND
  别名：FQD2N90TFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：FDW2508PB
  仓库库存编号：FDW2508PBCT-ND
  别名：FDW2508PBCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO220
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP30NC60W
  仓库库存编号：497-6734-5-ND
  别名：497-6734-5
  STGP30NC60W-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 325V 4A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 325V 4A 40W Through Hole TO-220
  
  型号：495220TU
  仓库库存编号：495220TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TVS DIODE 33VWM POWERMITE
  
  型号：1PMT33AT3
  仓库库存编号：1PMT33AT3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TVS DIODE 58VWM POWERMITE
  
  型号：1PMT58AT1G
  仓库库存编号：1PMT58AT1G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE
  
  型号：1PMT7.0AT3G
  仓库库存编号：1PMT7.0AT3G-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3903RLRM
  仓库库存编号：2N3903RLRM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 40V 0.2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N3904RLRMG
  仓库库存编号：2N3904RLRMGOSCT-ND
  别名：2N3904RLRMG-ND
  2N3904RLRMGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 200mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N4123RLRM
  仓库库存编号：2N4123RLRM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.05A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5088RLRA
  仓库库存编号：2N5088RLRA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.05A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5088RLRAG
  仓库库存编号：2N5088RLRAG-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 25V 0.05A TO-92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5089RLRA
  仓库库存编号：2N5089RLRA-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索