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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.5A（Ta） 2.2W（Ta） 30-BGA（4x3.5）
  
  型号：FDZ7064N
  仓库库存编号：FDZ7064N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 9.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 9.8A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA10N80
  仓库库存编号：FQA10N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 24A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 24A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH15N60RUFDTU
  仓库库存编号：SGH15N60RUFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.7A（Tc） 113W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF10N80
  仓库库存编号：FQAF10N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1500V 10A 125W TO264
  详细描述：IGBT 1500V 10A 125W Through Hole TO-264
  
  型号：SGL5N150UFTU
  仓库库存编号：SGL5N150UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
  
  型号：SGH40N60UFDM1TU
  仓库库存编号：SGH40N60UFDM1TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 48A 235W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 48A 235W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH30N60RUFTU
  仓库库存编号：SGH30N60RUFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA18N50V2
  仓库库存编号：FQA18N50V2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA11N90C
  仓库库存编号：FQA11N90CFS-ND
  别名：FQA11N90CFS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3PN
  
  型号：SGH40N60UFDTU
  仓库库存编号：SGH40N60UFDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 200W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA16N50
  仓库库存编号：FQA16N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 19.5A（Tc） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA20N40
  仓库库存编号：FQA20N40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 235W（Tc） TO-3PN
  
  型号：IRFP460C
  仓库库存编号：IRFP460C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA48N20
  仓库库存编号：FQA48N20-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 17.8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 17.8A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA16N25C
  仓库库存编号：FQA16N25C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 22A BGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 2.8W（Ta） 36-BGA（5.5x5）
  
  型号：FDZ5047N
  仓库库存编号：FDZ5047N-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 24A 200W TO3P
  详细描述：IGBT NPT 1200V 24A 200W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA15N120ANDTU
  仓库库存编号：FGA15N120ANDTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF19N60
  仓库库存编号：FQAF19N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 14A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 14A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：HGTP7N60B3D
  仓库库存编号：HGTP7N60B3D-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 277W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH18N50V2
  仓库库存编号：FQH18N50V2-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N90
  仓库库存编号：FQAF11N90-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 195W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 80A 195W Through Hole TO-3PN
  
  型号：SGH80N60UFTU
  仓库库存编号：SGH80N60UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 12.6A（Tc） 300W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N80
  仓库库存编号：FQA13N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 24A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 24A（Tc） 108W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF40N25
  仓库库存编号：FQAF40N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 27A 104W TO247
  详细描述：IGBT 600V 27A 104W Through Hole TO-247-3
  
  型号：HGTG12N60B3
  仓库库存编号：HGTG12N60B3-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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