以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9.6A（Tc） 160W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA9N50
  仓库库存编号：FQA9N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），107W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI2NA90TU
  仓库库存编号：FQI2NA90TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 15A（Tc） 160W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA14N30
  仓库库存编号：FQA14N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 198W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N80C
  仓库库存编号：FQA7N80C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP50N05L
  仓库库存编号：RFP50N05L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 6.2A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N70TM
  仓库库存编号：FQB6N70TM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N80
  仓库库存编号：FQP7N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 160W TO220
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220
  
  型号：SGP40N60UFTU
  仓库库存编号：SGP40N60UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 180W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP34N20L
  仓库库存编号：FQP34N20L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.8A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N80
  仓库库存编号：FQPF7N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF27N25T
  仓库库存编号：FQPF27N25T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 16A 75W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 16A 75W Surface Mount D2PAK
  
  型号：SGW10N60RUFDTM
  仓库库存编号：SGW10N60RUFDTM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.8A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N90
  仓库库存编号：FQP6N90-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13.5A（Tc） 218W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA13N50C
  仓库库存编号：FQA13N50C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 3.13W（Ta），225W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12N60CTM
  仓库库存编号：FQB12N60CTM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1500V 10A 50W TO220F
  详细描述：IGBT 1500V 10A 50W Through Hole TO-220F
  
  型号：SGS5N150UFTU
  仓库库存编号：SGS5N150UFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 12.6A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12.6A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：SFF9250L
  仓库库存编号：SFF9250L-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.4A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N90
  仓库库存编号：FQPF6N90-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8.4A（Tc） 49W（Tc） TO-220F
  
  型号：IRFS750A
  仓库库存编号：IRFS750A-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS 4NPN 40V 1.2A 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 1.2A 250MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：FTM3725
  仓库库存编号：FTM3725-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），167W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N80TM_AM002
  仓库库存编号：FQB7N80TM_AM002-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.7A（Tc） 152W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N60
  仓库库存编号：FQA7N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12.1A（Tc） 3.13W（Ta），179W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12N50TM_AM002
  仓库库存编号：FQB12N50TM_AM002-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 24A 160W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 24A 160W Through Hole TO-3P
  
  型号：SGH15N60RUFTU
  仓库库存编号：SGH15N60RUFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.3A（Tc） 185W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA6N80
  仓库库存编号：FQA6N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索