以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50
  仓库库存编号：FQPF9N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 28A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB32N20CTM
  仓库库存编号：FQB32N20CTM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 11.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 11.4A（Tc） 73W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N25C
  仓库库存编号：FQAF16N25C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP11N40
  仓库库存编号：FQP11N40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB11N40TM
  仓库库存编号：FQB11N40TM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 24A 160W TO220
  详细描述：IGBT 600V 24A 160W Through Hole TO-220-3
  
  型号：SGP15N60RUFTU
  仓库库存编号：SGP15N60RUFTU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI11N40TU
  仓库库存编号：FQI11N40TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12N60CT
  仓库库存编号：FQPF12N60CT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 3.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N70
  仓库库存编号：FQPF6N70-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 3.13W（Ta），156W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB10N60CTM
  仓库库存编号：FQB10N60CTM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.8A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N80
  仓库库存编号：FQP6N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 13A（Tc） 195W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB13N50CTM
  仓库库存编号：FQB13N50CTM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12N60C
  仓库库存编号：FQPF12N60C-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12.4A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF16N25
  仓库库存编号：FQAF16N25-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 9A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50TM
  仓库库存编号：FQB9N50TM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N80TM
  仓库库存编号：FQB5N80TM-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80
  仓库库存编号：FQPF6N80-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 11.4A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 11.4A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF14N30
  仓库库存编号：FQAF14N30-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.4A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N60
  仓库库存编号：FQP7N60-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：HUF75631SK8T
  仓库库存编号：HUF75631SK8T-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 8.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8.8A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF11N40
  仓库库存编号：FQAF11N40-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  详细描述：IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
  
  型号：HGT1S2N120CN
  仓库库存编号：HGT1S2N120CN-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.4A（Tc） 158W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N90
  仓库库存编号：FQP5N90-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N50TU
  仓库库存编号：FQI9N50TU-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF9N50
  仓库库存编号：FQAF9N50-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索