规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Bourns Inc.
TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
型号：
SMCJ10A
仓库库存编号：
SMCJ10ABCT-ND
别名：SMCJ10ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB
型号：
SMCJ33A
仓库库存编号：
SMCJ33ABCT-ND
别名：SMCJ33ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB
型号：
SMCJ6.5A
仓库库存编号：
SMCJ6.5ABCT-ND
别名：SMCJ6.5ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
型号：
SMCJ58A
仓库库存编号：
SMCJ58ABCT-ND
别名：SMCJ58ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB
型号：
SMCJ85A
仓库库存编号：
SMCJ85ABCT-ND
别名：SMCJ85ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AB
型号：
SMCJ26A
仓库库存编号：
SMCJ26ABCT-ND
别名：SMCJ26ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
型号：
SMCJ15A
仓库库存编号：
SMCJ15ABCT-ND
别名：SMCJ15ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO214AB
型号：
SMCJ7.5A
仓库库存编号：
SMCJ7.5ABCT-ND
别名：SMCJ7.5ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Bourns Inc.
TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
型号：
SMCJ70A
仓库库存编号：
SMCJ70ABCT-ND
别名：SMCJ70ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB
型号：
SMCJ90A
仓库库存编号：
SMCJ90ABCT-ND
别名：SMCJ90ABCT
SMCJ90ACT
SMCJ90ACT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
型号：
SMCJ22A
仓库库存编号：
SMCJ22ABCT-ND
别名：SMCJ22ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB
型号：
SMCJ75A
仓库库存编号：
SMCJ75ABCT-ND
别名：SMCJ75ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB
型号：
SMCJ6.0A
仓库库存编号：
SMCJ6.0ABCT-ND
别名：SMCJ6.0ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
型号：
SMCJ12A
仓库库存编号：
SMCJ12ABCT-ND
别名：SMCJ12ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Bourns Inc.
TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AB
型号：
SMCJ20A
仓库库存编号：
SMCJ20ABCT-ND
别名：SMCJ20ABCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
型号：
SI8457DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8457DB-T1-E1CT-ND
别名：SI8457DB-T1-E1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 100V 1A SOT-89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 50MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号：
FCX593TA
仓库库存编号：
FCX593CT-ND
别名：FCX593
FCX593CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP88H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP88H6327XTSA1CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25484F4T
仓库库存编号：
296-42131-1-ND
别名：296-42131-1
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8707TRPBF
仓库库存编号：
IRF8707TRPBFCT-ND
别名：IRF8707TRPBFCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5513CDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5513CDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5513CDC-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHS5404T1G
仓库库存编号：
NTHS5404T1GOSCT-ND
别名：NTHS5404T1GOSCT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA913ADJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA913ADJ-T1-GE3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3443CDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3443CDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3443CDV-T1-E3CT
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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