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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 20V 4.5A 3-DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 4.5A 140MHz 3W Surface Mount DFN2020B-3
  
  型号：ZXTN618MATA
  仓库库存编号：ZXTN618MATACT-ND
  别名：ZXTN618MATACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 3A 3-DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 190MHz 3W Surface Mount DFN2020B-3
  
  型号：ZXTP720MATA
  仓库库存编号：ZXTP720MATACT-ND
  别名：ZXTP720MATACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 500mA 50MHz 1W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DZT658-13
  仓库库存编号：DZT658DICT-ND
  别名：DZT658DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMP3056LSS-13
  仓库库存编号：DMP3056LSS-13DICT-ND
  别名：DMP3056LSS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta） 1.6W（Ta） TO-252
  
  型号：DMN3016LK3-13
  仓库库存编号：DMN3016LK3-13DICT-ND
  别名：DMN3016LK3-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP6110SSS-13
  仓库库存编号：DMP6110SSS-13DICT-ND
  别名：DMP6110SSS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 12V 1A WDFN3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 1A 200MHz 740mW Surface Mount 3-WDFN (2x2)
  
  型号：NSS12100UW3TCG
  仓库库存编号：NSS12100UW3TCGOSCT-ND
  别名：NSS12100UW3TCGOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  
  型号：NTLJD3115PT1G
  仓库库存编号：NTLJD3115PT1GOSCT-ND
  别名：NTLJD3115PT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 8A 176MHz 3W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXTP19020DP5-13
  仓库库存编号：DXTP19020DP5-13CT-ND
  别名：DXTP19020DP5-13CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8483DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8483DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8483DB-T2-E1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Comchip Technology
  BRIDGE RECTIFIER 100V 1A MBS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1A Surface Mount MBS
  
  型号：CDBHM1100L-HF
  仓库库存编号：641-1429-1-ND
  别名：641-1429-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6304P
  仓库库存编号：FDC6304PCT-ND
  别名：FDC6304PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13383F4T
  仓库库存编号：296-38621-1-ND
  别名：296-38621-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS606NH6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 140V 4A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 4A 150MHz 1W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DZT955-13
  仓库库存编号：DZT955DICT-ND
  别名：DZT955DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
  
  型号：DMG8601UFG-7
  仓库库存编号：DMG8601UFG-7DICT-ND
  别名：DMG8601UFG-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS225H6327FTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 5VWM 21VC SOT23-6
  
  型号：CDSOT236-T05C
  仓库库存编号：CDSOT236-T05CCT-ND
  别名：CDSOT236-T05CCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6308P
  仓库库存编号：FDG6308PCT-ND
  别名：FDG6308PCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），30A（Tc） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3010LFG-7
  仓库库存编号：DMN3010LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3010LFG-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ105N04NS G
  仓库库存编号：BSZ105N04NSGINCT-ND
  别名：BSZ105N04NSGINCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB
  
  型号：SMCJ13A
  仓库库存编号：SMCJ13ABCT-ND
  别名：SMCJ13ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AB
  
  型号：SMCJ36A
  仓库库存编号：SMCJ36ABCT-ND
  别名：SMCJ36ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB
  
  型号：SMCJ54A
  仓库库存编号：SMCJ54ABCT-ND
  别名：SMCJ54ABCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB
  
  型号：SMCJ51A
  仓库库存编号：SMCJ51ABCT-ND
  别名：SMCJ51ABCT
  SMCJ51ACT
  SMCJ51ACT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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