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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
  
  型号：NTLJF3117PT1G
  仓库库存编号：NTLJF3117PT1GOSCT-ND
  别名：NTLJF3117PT1GOSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R3K0CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R3K0CECT
  IPD50R3K0CECT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 150V 0.6A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 100MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：ZXTP5401GTA
  仓库库存编号：ZXTP5401GCT-ND
  别名：ZXTP5401GCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1070X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1070X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1070X-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 3A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 150MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DJT4030P-13
  仓库库存编号：DJT4030PDICT-ND
  别名：DJT4030PDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  
  型号：SI1965DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1965DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1965DH-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 40V 3A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DJT4031N-13
  仓库库存编号：DJT4031NDICT-ND
  别名：DJT4031NDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.2A 980mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：DMG9926UDM-7
  仓库库存编号：DMG9926UDMDICT-ND
  别名：DMG9926UDMDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB410DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB410DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB410DK-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVT-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVT-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVT-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS5703TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS5703PBFCT-ND
  别名：*IRLMS5703TRPBF
  IRLMS5703PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS192PH6327FTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN3016LSS-13
  仓库库存编号：DMN3016LSS-13DICT-ND
  别名：DMN3016LSS-13DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN2015UFDE-7
  仓库库存编号：DMN2015UFDE-7DICT-ND
  别名：DMN2015UFDE-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：IRLTS6342TRPBF
  仓库库存编号：IRLTS6342TRPBFCT-ND
  别名：IRLTS6342TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 6A, 3.4A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMC1028UFDB-7
  仓库库存编号：DMC1028UFDB-7DICT-ND
  别名：DMC1028UFDB-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1503TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS1503PBFCT-ND
  别名：*IRLMS1503TRPBF
  IRLMS1503PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  
  型号：SI1902DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1902DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1902DL-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS6802TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS6802PBFCT-ND
  别名：*IRLMS6802TRPBF
  IRLMS6802PBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 60V 6A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DSS60600MZ4-13
  仓库库存编号：DSS60600MZ4DICT-ND
  别名：DSS60600MZ4DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5803TRPBF
  仓库库存编号：IRF5803TRPBFCT-ND
  别名：IRF5803TRPBFCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23382F4T
  仓库库存编号：296-37874-1-ND
  别名：296-37874-1
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS PNP 20V 3.5A 3-DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 3.5A 180MHz 3W Surface Mount DFN2020B-3
  
  型号：ZXTP718MATA
  仓库库存编号：ZXTP718MATACT-ND
  别名：ZXTP718MATACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA914ADJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA914ADJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA914ADJ-T1-GE3CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS NPN 60V 3A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 200MHz 1W Surface Mount SOT-223
  
  型号：DZT651-13
  仓库库存编号：DZT651DICT-ND
  别名：DZT651DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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