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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 500mA 1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BST52TA
  仓库库存编号：BST52CT-ND
  别名：BST52
  BST52CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 80V 500mA 163MHz 900mW Surface Mount SOT-26
  
  型号：MMDTA06-7
  仓库库存编号：MMDTA06-7DICT-ND
  别名：MMDTA06-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 58VWM 92.3VC DO214AA
  
  型号：SMBJ58D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ58D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ58D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 90VWM 144VC DO214AA
  
  型号：SMBJ90D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ90D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ90D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 120VWM 190VC DO214AA
  
  型号：SMBJ120D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ120D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ120D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 100VWM 159VC DO214AA
  
  型号：SMBJ100D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ100D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ100D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 40VWM 63.6VC DO214AA
  
  型号：SMBJ40D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ40D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ40D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 51VWM 81.2VC DO214AA
  
  型号：SMBJ51D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ51D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ51D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 130VWM 206VC DO214AA
  
  型号：SMBJ130D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ130D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ130D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 7.5VWM 12.7VC DO214AA
  
  型号：SMBJ7.5D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ7.5D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ7.5D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 54VWM 85.9VC DO214AA
  
  型号：SMBJ54D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ54D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ54D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 110VWM 174VC DO214AA
  
  型号：SMBJ110D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ110D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ110D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 60VWM 95.5VC DO214AA
  
  型号：SMBJ60D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ60D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ60D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  TVS DIODE 11VWM 17.9VC DO214AA
  
  型号：SMBJ11D-M3/H
  仓库库存编号：SMBJ11D-M3/HGICT-ND
  别名：SMBJ11D-M3/HGICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8812DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8812DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8812DB-T2-E1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR316PH6327XTSA1CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6318PZ
  仓库库存编号：FDG6318PZCT-ND
  别名：FDG6318PZCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 2A 215MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：ZXTN25020DFLTA
  仓库库存编号：ZXTN25020DFLCT-ND
  别名：ZXTN25020DFLCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 670mA, 530mA 450mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DMC2004VK-7
  仓库库存编号：DMC2004VKDICT-ND
  别名：DMC2004VKDICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7692
  仓库库存编号：FDMS7692CT-ND
  别名：FDMS7692CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Bourns Inc.
  TVS DIODE 5VWM 13.5VC SMD
  
  型号：CDSOT23-T05
  仓库库存编号：CDSOT23-T05CT-ND
  别名：CDSOT23-T05CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP3028LFDE-7
  仓库库存编号：DMP3028LFDE-7DICT-ND
  别名：DMP3028LFDE-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 600mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
  
  型号：DMN6070SFCL-7
  仓库库存编号：DMN6070SFCL-7DICT-ND
  别名：DMN6070SFCL-7DICT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR202N L6327
  仓库库存编号：BSR202N L6327CT-ND
  别名：BSR202N L6327CT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMB
  
  型号：SMBJ9V0CA
  仓库库存编号：SMBJ9V0CACT-ND
  别名：SMBJ9V0CACT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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