以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF2P02HDR2
  仓库库存编号：MMDF2P02HDR2OSCT-ND
  别名：MMDF2P02HDR2OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF3N04HDR2
  仓库库存编号：MMDF3N04HDR2OSCT-ND
  别名：MMDF3N04HDR2OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF1N05ER2
  仓库库存编号：MMDF1N05ER2OSCT-ND
  别名：MMDF1N05ER2OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS 4NPN 40V 0.5A 16SOIC
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 500mA 350MHz 1W Surface Mount 16-SOIC
  
  型号：MMPQ2222AR1
  仓库库存编号：MMPQ2222AR1OSCT-ND
  别名：MMPQ2222AR1OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 8.8A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS10P02R2
  仓库库存编号：NTMS10P02R2OSCT-ND
  别名：NTMS10P02R2OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD80N02T4
  仓库库存编号：NTD80N02T4OSCT-ND
  别名：NTD80N02T4OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 85A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB85N03T4
  仓库库存编号：NTB85N03T4OSCT-ND
  别名：NTB85N03T4OSCT
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 25V 0.2A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 200mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N4124
  仓库库存编号：2N4124OS-ND
  别名：2N4124OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 600mA 250MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：PN2222
  仓库库存编号：PN2222OS-ND
  别名：PN2222OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 25V 0.5A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 500mA 150MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPS3638A
  仓库库存编号：MPS3638AOS-ND
  别名：MPS3638AOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 200V 0.5A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：MPSA93
  仓库库存编号：MPSA93OS-ND
  别名：MPSA93OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 140V 0.6A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5550
  仓库库存编号：2N5550OS-ND
  别名：2N5550OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 30V 0.05A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5088
  仓库库存编号：2N5088OS-ND
  别名：2N5088OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 25V 0.05A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：2N5089
  仓库库存编号：2N5089OS-ND
  别名：2N5089OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 50V 4-DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF005M/45
  仓库库存编号：DF005M/45GI-ND
  别名：DF005M/45GI
  DF005MGI
  DF005MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 50V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF005S/27
  仓库库存编号：DF005S/27GI-ND
  别名：DF005S/27GI
  DF005SGI
  DF005SGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 800V 4-DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF08M/45
  仓库库存编号：DF08M/45GI-ND
  别名：DF08M/45GI
  DF08MGI
  DF08MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 800V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF08S/27
  仓库库存编号：DF08S/27GI-ND
  别名：DF08S/27GI
  DF08SGI
  DF08SGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 1000V SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF10S/27
  仓库库存编号：DF10S/27GI-ND
  别名：DF10S/27GI
  DF10SGI
  DF10SGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1A 100V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.5A Surface Mount DFS
  
  型号：DF1501S/27
  仓库库存编号：DF1501S/27GI-ND
  别名：DF1501S/27GI
  DF1501SGI
  DF1501SGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN 45V 0.1A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3
  
  型号：BC547B
  仓库库存编号：BC547BOS-ND
  别名：BC547BOS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 45V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD136
  仓库库存编号：BD136OS-ND
  别名：BD136OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD682
  仓库库存编号：BD682OS-ND
  别名：BD682OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD681
  仓库库存编号：BD681OS-ND
  别名：BD681OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1.5A 1.25W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD140
  仓库库存编号：BD140OS-ND
  别名：BD140OS
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索