规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-CERDIP
型号:
TC4428MJA
仓库库存编号:
TC4428MJA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microchip Technology
IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-CERDIP
型号:
TC4427AMJA
仓库库存编号:
TC4427AMJA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microchip Technology
IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-CERDIP
型号:
TC4428AMJA
仓库库存编号:
TC4428AMJA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Microchip Technology
IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP
详细描述:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-CERDIP
型号:
TC4426AMJA
仓库库存编号:
TC4426AMJA-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT UFAST 600V 100A SOT227
详细描述:IGBT Module Single 600V 200A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号:
GA200SA60U
仓库库存编号:
GA200SA60U-ND
别名:*GA200SA60U
VS-GA200SA60U
VS-GA200SA60U-ND
VSGA200SA60U
VSGA200SA60U-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT STD 600V 100A SOT227
详细描述:IGBT Module Single 600V 200A 630W Chassis Mount SOT-227B
型号:
GA200SA60S
仓库库存编号:
GA200SA60S-ND
别名:*GA200SA60S
VS-GA200SA60S
VS-GA200SA60S-ND
VSGA200SA60S
VSGA200SA60S-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBL
详细描述:Bridge Rectifier Three Phase 100V 4A Through Hole GBL
型号:
4GBL01
仓库库存编号:
4GBL01-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 31A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP31N50L
仓库库存编号:
IRFP31N50L-ND
别名:*IRFP31N50L
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 47A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS43N50K
仓库库存编号:
IRFPS43N50K-ND
别名:*IRFPS43N50K
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 540W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS40N50L
仓库库存编号:
IRFPS40N50L-ND
别名:*IRFPS40N50L
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 460W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP32N50K
仓库库存编号:
IRFP32N50K-ND
别名:*IRFP32N50K
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP23N50L
仓库库存编号:
IRFP23N50L-ND
别名:*IRFP23N50L
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP460P
仓库库存编号:
IRFP460P-ND
别名:*IRFP460P
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 500V 16A(Tc) 220W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP17N50L
仓库库存编号:
IRFP17N50L-ND
别名:*IRFP17N50L
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB13N50A
仓库库存编号:
IRFB13N50A-ND
别名:*IRFB13N50A
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7822TRL
仓库库存编号:
IRF7822TRL-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7822TRR
仓库库存编号:
IRF7822TRR-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI620
仓库库存编号:
IRFI620-ND
别名:*IRFI620
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 0.2A SOT-523
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号:
MMBT3904T-7
仓库库存编号:
MMBT3904TDICT-ND
别名:MMBT3904T7
MMBT3904TDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号:
MMBT4401T-7
仓库库存编号:
MMBT4401TDICT-ND
别名:MMBT4401T7
MMBT4401TDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 150mW Surface Mount SOT-523F
型号:
MMBT2222AT-7
仓库库存编号:
MMBT2222ATDICT-ND
别名:MMBT2222AT7
MMBT2222ATDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 40V 0.6A SOT-523
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号:
MMBT4403T-7
仓库库存编号:
MMBT4403TDICT-ND
别名:MMBT4403T7
MMBT4403TDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号:
MMBT2907AT-7
仓库库存编号:
MMBT2907ATDICT-ND
别名:MMBT2907AT7
MMBT2907ATDICT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 45V 0.5A SMD SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
BC807-16-7
仓库库存编号:
BC807-16CT-ND
别名:BC807-16
BC807-16-ND
BC807-16CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 45V 0.5A SMD SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 310mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
BC807-25-7
仓库库存编号:
BC807-25CT-ND
别名:BC807-25
BC807-25-ND
BC807-25CT
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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