以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG50
  仓库库存编号：IRFPG50-ND
  别名：*IRFPG50
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP9240
  仓库库存编号：IRFP9240-ND
  别名：*IRFP9240
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE20
  仓库库存编号：IRFBE20-ND
  别名：*IRFBE20
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBE30
  仓库库存编号：IRFBE30-ND
  别名：*IRFBE30
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBF20
  仓库库存编号：IRFBF20-ND
  别名：*IRFBF20
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG20
  仓库库存编号：IRFBG20-ND
  别名：*IRFBG20
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30
  仓库库存编号：IRFBG30-ND
  别名：*IRFBG30
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.7A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF614S
  仓库库存编号：IRF614S-ND
  别名：*IRF614S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.4A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF624S
  仓库库存编号：IRF624S-ND
  别名：*IRF624S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF634S
  仓库库存编号：IRF634S-ND
  别名：*IRF634S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF644S
  仓库库存编号：IRF644S-ND
  别名：*IRF644S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF710S
  仓库库存编号：IRF710S-ND
  别名：*IRF710S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF720S
  仓库库存编号：IRF720S-ND
  别名：*IRF720S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730S
  仓库库存编号：IRF730S-ND
  别名：*IRF730S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740S
  仓库库存编号：IRF740S-ND
  别名：*IRF740S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820S
  仓库库存编号：IRF820S-ND
  别名：*IRF820S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830S
  仓库库存编号：IRF830S-ND
  别名：*IRF830S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840S
  仓库库存编号：IRF840S-ND
  别名：*IRF840S
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1AMP 200V DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF02S/77
  仓库库存编号：DF02S/77GICT-ND
  别名：DF02S/27GICT
  DF02S/27GICT-ND
  DF02S/54GICT
  DF02S/54GICT-ND
  DF02S/77GICT
  DF02S77
  DF02SGI
  DF02SGICT
  DF02SGICT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1AMP 400V DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF04S/77
  仓库库存编号：DF04S/77GICT-ND
  别名：DF04S/27GICT
  DF04S/27GICT-ND
  DF04S/54GICT
  DF04S/54GICT-ND
  DF04S/77GICT
  DF04S77
  DF04SGI
  DF04SGICT
  DF04SGICT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1AMP 600V DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF06S/77
  仓库库存编号：DF06S/77GICT-ND
  别名：DF06S/27GICT
  DF06S/27GICT-ND
  DF06S/54GICT
  DF06S/54GICT-ND
  DF06S/77GICT
  DF06S77
  DF06SGI
  DF06SGICT
  DF06SGICT-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 200V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF02M/45
  仓库库存编号：DF02M/45GI-ND
  别名：DF02M/45GI
  DF02MGI
  DF02MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 400V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF04M/45
  仓库库存编号：DF04M/45GI-ND
  别名：DF04M/45GI
  DF04MGI
  DF04MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 600V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF06M/45
  仓库库存编号：DF06M/45GI-ND
  别名：DF06M/45GI
  DF06MGI
  DF06MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DFM
  
  型号：DF10M/45
  仓库库存编号：DF10M/45GI-ND
  别名：DF10M/45GI
  DF10MGI
  DF10MGI-ND
  
  规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索