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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21.7A(Tc) 240W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW24N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW24N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264428
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385002
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385014
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSC71UPBF
仓库库存编号:
IRG4PSC71UPBF-ND
别名:*IRG4PSC71UPBF
SP001540512
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080130
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 53.5A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R070P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R070P6FKSA1-ND
别名:SP001313880
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080114
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080100
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 44A(Tc) 245W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R050G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R050G7XTMA1-ND
别名:SP001615912
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 60A 300W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP30B120KDPBF
仓库库存编号:
IRGP30B120KDPBF-ND
别名:SP001546224
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 308W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC
型号:
AUIRGP35B60PD
仓库库存编号:
AUIRGP35B60PD-ND
别名:SP001511320
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385020
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 308W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AD
型号:
AUIRGP35B60PD-E
仓库库存编号:
AUIRGP35B60PD-E-ND
别名:SP001511222
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R060C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R060C7XKSA1-ND
别名:SP001385028
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080116
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 33A(Tc) 171W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R065C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R065C7XKSA1-ND
别名:SP001080120
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 34.1A(Tc) 313W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW35N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW35N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000065487
SPW35N60CFD
SPW35N60CFD-ND
SPW35N60CFDIN
SPW35N60CFDIN-ND
SPW35N60CFDX
SPW35N60CFDXK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 390W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AD
型号:
AUIRGP50B60PD1E
仓库库存编号:
AUIRGP50B60PD1E-ND
别名:SP001511546
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 50A(Tc) 227W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R040C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R040C7ATMA1-ND
别名:SP001277610
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名:SP001080092
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 77.5A(Tc) 481W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R041P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R041P6FKSA1-ND
别名:SP001313878
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 75A(Tc) 391W(Tc) PG-HSOF-8
型号:
IPT60R028G7XTMA1
仓库库存编号:
IPT60R028G7XTMA1-ND
别名:SP001579312
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 46A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW47N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000065376
SPW47N60CFD
SPW47N60CFD-ND
SPW47N60CFDIN
SPW47N60CFDIN-ND
SPW47N60CFDX
SPW47N60CFDXK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 415W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N65C3FKSA1
仓库库存编号:
SPW47N65C3FKSA1-ND
别名:SP000274751
SPW47N65C3
SPW47N65C3-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R019C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R019C7XKSA1-ND
别名:SP001024002
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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