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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA60R099C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R099C7XKSA1-ND
别名:SP001297996
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R110CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R110CFDXKSA1-ND
别名:IPI65R110CFD
IPI65R110CFD-ND
SP000896398
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31.2A(Tc) 34.7W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R110CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R110CFDXKSA1-ND
别名:IPA65R110CFD
IPA65R110CFD-ND
SP000895230
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385060
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 37.9A(Tc) 219W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R125P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R125P6FKSA1-ND
别名:SP001313884
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SGW30N60FKSA1
仓库库存编号:
SGW30N60FKSA1-ND
别名:SGW30N60
SGW30N60-ND
SP000012467
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 139W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 600V 31A 139W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SKW15N60FKSA1
仓库库存编号:
SKW15N60FKSA1-ND
别名:SKW15N60
SKW15N60-ND
SP000012482
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080126
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080122
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 120A(Tc) 313W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503860
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080138
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50KPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50KPBF-ND
别名:*IRG4PC50KPBF
SP001545724
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 141A 543W TO-220
详细描述:IGBT 1200V 141A 543W Through Hole SUPER-220? (TO-273AA)
型号:
AUIRGDC0250
仓库库存编号:
AUIRGDC0250-ND
别名:SP001511678
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UD-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UD-EPBF-ND
别名:*IRG4PH40UD-EPBF
IRG4PH40UDEPBF
SP001537194
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 520W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 75A 520W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC60UPBF
仓库库存编号:
IRG4PC60UPBF-ND
别名:*IRG4PC60UPBF
63-0007PBF
63-0007PBF-ND
SP001540562
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50KPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50KPBF-ND
别名:*IRG4PH50KPBF
SP001541998
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG4PC50F-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50F-EPBF-ND
别名:SP001545714
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 75A 390W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP50B60PD1-EP
仓库库存编号:
IRGP50B60PD1-EP-ND
别名:SP001532834
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 35A(Tc) 162W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R060C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R060C7ATMA1-ND
别名:SP001385008
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R099CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R099CPXKSA1-ND
别名:IPI60R099CP
IPI60R099CP-ND
IPI60R099CPAKSA1
SP000297356
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SKW30N60FKSA1
仓库库存编号:
SKW30N60FKSA1-ND
别名:SKW30N60
SKW30N60-ND
SP000012484
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-4
详细描述:通孔 P 沟道 600V 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R099P6FKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R099P6FKSA1-ND
别名:SP001313882
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A COPAK247
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH35UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH35UD-EP-ND
别名:SP001548020
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 171W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名:SP001080110
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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