规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名:IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SGP15N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP15N120XKSA1-ND
别名:SGP15N120
SGP15N120-ND
SP000683122
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名:IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C7XKSA1-ND
别名:SP001080142
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 179W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503862
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名:IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名:IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R150CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R150CFDFKSA1-ND
别名:SP000907038
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385040
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385054
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7455
仓库库存编号:
IRF7455-ND
别名:*IRF7455
SP001572180
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22A(Tc) 110W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R099C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099C7ATMA1-ND
别名:SP001297998
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 308W TO247AD
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP35B60PD-EP
仓库库存编号:
IRGP35B60PD-EP-ND
别名:SP001533980
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R199CP
仓库库存编号:
IPW60R199CP-ND
别名:IPW60R199CPFKSA1
IPW60R199CPX
IPW60R199CPXK
SP000089802
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080136
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 179W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 600V 40A 179W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SGW20N60FKSA1
仓库库存编号:
SGW20N60FKSA1-ND
别名:SGW20N60
SGW20N60-ND
SP000012466
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA20N65C3
仓库库存编号:
SPA20N65C3IN-ND
别名:SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
SPA20N65C3XKSA1
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R095C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R095C7ATMA1-ND
别名:SP001080124
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24.3A(Tc) 240W(Tc) TO-220-3
型号:
SPP24N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP24N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681068
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R340C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R340C3XKSA1-ND
别名:IPI90R340C3
IPI90R340C3-ND
SP000413726
SP000683082
规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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